模擬/混合信號與光電半導體解決方案晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已為其XP018高壓（HV）車(chē)用產(chǎn)品工藝推出全新閃存功能。這款新的閃存IP利用X-FAB得到廣泛驗證的氮化硅氧化物（SONOS）技術(shù)——該技術(shù)具備更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合嚴格的AEC100-Grade 0汽車(chē)規范，可承受在-40°C至175°C的溫度范圍內工作，并完全支持ISO 26262規定的功能安全級別。其陣列大小為32KB，采用8K×39位配置，帶有32位數據總線(xiàn)；另外7位專(zhuān)用于錯誤代碼校正（ECC），以確保零缺陷的現場(chǎng)可靠性。
X-FAB專(zhuān)有的XSTI嵌入式非易失性存儲器（NVM）IP測試接口也已包括在內，以達成對存儲器的完全串行接駁。 該款汽車(chē)級閃存IP能夠運行于單個(gè)1.8V電源，非常適用于低功耗設計。新增的內置自檢（BIST）模塊對于實(shí)現有效的存儲器測試以及全面的產(chǎn)品調試至關(guān)重要。如需要，X-FAB還可以為客戶(hù)帶來(lái)完整的NVM測試服務(wù)。 “這一全新IP解決方案進(jìn)一步豐富了X-FAB針對180nm開(kāi)放技術(shù)平臺的嵌入式閃存產(chǎn)品組合；該平臺具有多種電壓與晶圓材料可供選擇，擴大了我們向市場(chǎng)提供的產(chǎn)品陣容，使我們能夠滿(mǎn)足客戶(hù)在更多應用中的需求�！盭-FAB公司NVM開(kāi)發(fā)總監Thomas Ramsch表示，“在低功耗和需要適應挑戰性環(huán)境的情況下，它將具有特殊的價(jià)值�！� “在現有X-FAB平臺上增加的全新嵌入式閃存功能，將實(shí)現更小的面積占比，從而為我們的客戶(hù)帶來(lái)更明顯的收益。此外，XP018的模塊化方法意味著(zhù)其僅需要更少的掩膜層。這兩個(gè)因素都將有助于推動(dòng)晶片成本的顯著(zhù)優(yōu)化�！盭-FAB公司NVM解決方案技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Nando Basile補充道，“全新閃存IP意味著(zhù)XP018現在能夠以高度經(jīng)濟高效的方式應對需要額外邏輯內容和計算資源的混合信號及高壓等應用。這將特別適用于電池供電的設備，如便攜式或自主智能傳感器；并在醫療保健、工業(yè)、消費和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮巨大潛力�！� |
