|
基于公司成熟的SONOS技術(shù)，新增的Flash和EEPROM為汽車(chē)、醫療和工業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)了許多新的可能性 模擬/混合信號和專(zhuān)業(yè)代工廠(chǎng)商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。這些非易失性存儲器（NVM）的添加將拓寬更多的應用范圍，在這些應用中，需要高壓額定值和高溫承受能力，并且提升運算能力。 越來(lái)越多的應用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案，其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓（高達100V），高溫和抗ESD / EMC能力相結合。EEPROM非常適合需要多次重復編程內存塊（在晶圓級，以及在現場(chǎng)應用中）的情況。X-FAB的SONOS技術(shù)支持在-40°C到175°C的溫度下工作，符合汽車(chē)AEC-Q100 “0”級質(zhì)量標準。 新的X-FAB NVM方案包括一個(gè)32kBytes的Flash，以及4kbit的EEPROM。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術(shù)，并充分利用了180nm體硅工藝（XH018）所展示的可靠性和經(jīng)驗。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作，并且可以通過(guò)共享的同一外設接口獨立操作，從而實(shí)現最佳的封裝。 為確保數據完整性，該NVM方案包含了錯誤代碼校正（ECC）功能，分別在Flash上進(jìn)行單位校正和在EEPROM上進(jìn)行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測試接口，允許直接操作Flash和EEPROM IP。通過(guò)這種方式，客戶(hù)可以受益于X-FAB的NVM晶圓級測試和封裝設備測試功能，以縮短調試和上市時(shí)間。 這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個(gè)額外的工藝層，特別適合于一系列不同的應用領(lǐng)域，例如汽車(chē)，工業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)和醫療。此外，這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯(lián)網(wǎng)的遠程自主傳感器接口和活體健康監測應用等新興應用中證明其價(jià)值。 X-FAB NVM市場(chǎng)經(jīng)理Nando Basile表示：“將Flash功能引入我們的XT018平臺，為我們在高溫下需要智能控制的汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統應用領(lǐng)域提供了明顯的優(yōu)勢�！� “這也意味著(zhù)，我們完全有能力應對醫療和工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)始出現的眾多機遇�！� |
