全球領(lǐng)先的模擬/混合信號代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries繼續開(kāi)發(fā)突破性的工藝方案以解決富有挑戰性的設計，現宣布推出雪崩光電二極管（APD）和單光子雪崩二極管（SPAD) 器件，用于滿(mǎn)足在微弱光源條件下所需的靈敏度，以及嚴格的時(shí)間分辨率。
基于該公司廣受歡迎的180nm高壓XH018工藝，這些功能塊提供了高性能參數和直接集成的組合。APD具有良好的線(xiàn)性增益特性，并且完全可擴展從僅僅10到幾百微米的尺寸。 使用X-FAB專(zhuān)有抑制電路（quenching circuit) ，SPAD的死區時(shí)間少于15ns，因而能夠支持高帶寬設計。此外，其較低的暗計數率(dark count rate: <100counts/s/μm2）意味著(zhù)它對熱噪聲的敏感性要低得多。 SPAD的高光子探測率（PDP）確保了更高比例的入射光子觸發(fā)雪崩，并且此高比例能夠在很寬的波長(cháng)范圍內保持（例如在400nm處為40％）。 X-FAB 的APD和SPAD可用于廣泛的應用領(lǐng)域，其中包括接近感應、激光雷達（LiDAR）、飛行時(shí)間（ToF）、醫學(xué)成像（CT和PET）和科學(xué)研究。由于它們符合AEC-Q100標準，因而同樣適用于汽車(chē)系統中應用。此外，已經(jīng)實(shí)現的低擊穿電壓（<20V）有助于將它們整合到客戶(hù)芯片。作為X-FAB設計套件的組成部分，它們完整的表征，并可輕松的與XH018工藝中的其他模塊組合。光學(xué)和電學(xué)仿真模型以及特定的應用指南可幫助設計師在短時(shí)間內將這些器件集成到其電路中。除了以功能塊格式提供外，配合SPAD工作的抑制參考電路(quenching circuit)也可提供。 X-FAB特色工藝制程分享會(huì )2019將于7月8日至12日在中國3個(gè)不同城市舉行 - 北京（7月8日），西安（7月10日）和成都（7月12日）。 該活動(dòng)旨在展示XFAB在精密模擬/混合信號領(lǐng)域的專(zhuān)長(cháng), 設計支持服務(wù)和代工廠(chǎng)解決方案，以支持汽車(chē)，工業(yè)和醫療市場(chǎng). 有關(guān)我們中國路演的更多信息，請到: https://www.xfab.com/about-x-fab/events/seminar-china X-FAB將參加于2019年6月25至27日在圣何塞McEnery會(huì )議中心舉辦的傳感器博覽會(huì )（Sensors Expo），展位號546，屆時(shí)公司團隊成員將能夠討論全新APD和SPAD產(chǎn)品。 欲了解該展會(huì )的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://www.sensorsexpo.com。 |
