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對于所有基于微控制器的嵌入式系統而言，存儲器都是其中的主要元件。例如開(kāi)發(fā)人員需要足夠的ram以存儲所有易失性變量、創(chuàng )建緩沖區以及管理各種應用堆棧。RAM對于嵌入式系統相當重要，同樣，開(kāi)發(fā)人員也需要一定空間用于存儲應用代碼、非易失性數據和配置信息。 EEPROM往往是開(kāi)發(fā)人員最先、最�？紤]用于嵌入式系統的存儲器件。在嵌入式應用中，這類(lèi)非易失性存儲器通常用于存儲系統配置參數。例如，連接至CAN總線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )的設備可能會(huì )將CAN ID存儲于EEPROM。 EEPROM的以下特性使其成為嵌入式系統開(kāi)發(fā)人員的理想之選： •小封裝尺寸 •相對實(shí)惠的價(jià)格 •100kbps至1000kbps的典型比特率范圍 •標準化電氣接口 •通常支持I2C和SPI接口 值得注意的是，某些MCU微控制器中也包含EEPROM。因此配置需求不能超過(guò)4KB，否則開(kāi)發(fā)人員就需要使用外部存儲器件，或使用微控制器的閃存來(lái)模擬EEPROM以擴展容量。 盡管EEPROM深受青睞，卻也存在一些潛在缺陷： •擦/寫(xiě)操作壽命通常為1,000,000次 •寫(xiě)周期約為500ns •寫(xiě)入單個(gè)數據單元需要多條指令 •數據保存期為10年以上（近期的產(chǎn)品可達100年以上） •易受輻射和高工作溫度影響 EEPROM適合的應用眾多，但對于汽車(chē)、醫療或航天系統等可靠性要求較高的應用，開(kāi)發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲器解決方案。 FRAM是“鐵電隨機存取存儲器”的縮寫(xiě)，相較于EEPROM存儲器，頗具優(yōu)勢： •速度更快（寫(xiě)周期小于50ns） •寫(xiě)操作壽命更長(cháng)（高達1萬(wàn)億次，EEPROM僅為100萬(wàn)次） •功率較低（工作電壓只需1.5V） •輻射耐受性更強 FRAM的存儲容量與EEPROM相當。例如，Cypress的FRAM系列容量范圍從4Kb至4Mb。其中，FM25L16B-GTR容量為16Kb。該器件采用8引腳SOIC封裝，工作頻率可達20MHz。 針對高端產(chǎn)品，Cypress推出容量為4Mb，支持的接口速度高達40MHz的鐵電RAM。這款FRAM存儲器具有以下特性： •151年數據保存期 •100萬(wàn)億次讀/寫(xiě) •直接替代串行閃存和EEPROM 正如您所猜想，FRAM的價(jià)格比EEPROM昂貴，因此選擇適合應用的存儲器時(shí)，務(wù)必仔細權衡器件的各種工作環(huán)境因素。 |
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FRAM是“鐵電隨機存取存儲器”的縮寫(xiě)，相較于EEPROM存儲器，頗具優(yōu)勢： •速度更快（寫(xiě)周期小于50ns） •寫(xiě)操作壽命更長(cháng)（高達1萬(wàn)億次，EEPROM僅為100萬(wàn)次） •功率較低（工作電壓只需1.5V） •輻射耐受性更強 |
