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來(lái)源：觀(guān)察者網(wǎng) 前不久，中芯國際發(fā)布了2018年第四季度及全年財報，總的來(lái)說(shuō)情況良好，特別是梁孟松博士關(guān)于中芯國際即將量產(chǎn)14nm FinFET工藝的消息非常振奮人心。不過(guò)，由于臺積電、聯(lián)電、格羅方德等大廠(chǎng)都已經(jīng)在中國大陸設廠(chǎng)，中芯國際要想崛起，還有一段路要走。 2018年營(yíng)收33.6億美元 與臺積電差距明顯 財報顯示，2018年全年，中芯國際收入33.6億美元，年增8.3％，其中中國區占比達到歷史新高59.1％，比上年增長(cháng)11.8個(gè)百分點(diǎn)；毛利率22.2％，下滑1.7個(gè)百分點(diǎn)，凈利潤1.34億美元，減少25.6％。 根據財報，中芯國際2018年第四季度業(yè)績(jì)下滑，主要是受行業(yè)大環(huán)境和客戶(hù)公司的訂單變化的影響，導致產(chǎn)能利用率下滑，進(jìn)而引發(fā)業(yè)績(jì)下降。 就這個(gè)成績(jì)來(lái)說(shuō)，中芯國際2018年的營(yíng)收已經(jīng)是創(chuàng )歷史新高了。但和臺積電相比差距還是非常明顯的——臺積電僅2018年四季度的營(yíng)收，就高達94.2億美元，是中芯國際全年營(yíng)收的3倍左右。 不同工藝的收入占比顯示了一家晶圓廠(chǎng)的技術(shù)水平，而中芯國際在這方面的比例為： 28nm 5.4％、40/45nm 20.3％、55/65nm 23.0％、90nm 1.7％、110/130nm 7.3％、150/180nm 38.7％、250/350nm 3.6％。 很明顯，中芯國際還是以40/45nm、55/65nm、150/180nm 的芯片為主，而28nm的芯片收入占比僅為5.4%。 相比之下，臺積電的不同工藝收入的占比為： 65nm及65nm以上 23%、40/45nm 10%、28nm 17%、16/20nm 21%、10nm 6%、7nm 23%。 可以說(shuō)，臺積電在這項數據上相對于中芯國際具有壓倒性?xún)?yōu)勢。中芯國際要在技術(shù)和商業(yè)上追趕臺積電，還有很長(cháng)的路要走。 外商在華開(kāi)設工廠(chǎng)來(lái)勢洶洶 臺積電在2015年就宣布將在南京設立代工廠(chǎng)。據公開(kāi)資料，整個(gè)項目投資大約為30億美元，不過(guò)，這個(gè)30億美元中很大部分是來(lái)自臺灣現有晶圓廠(chǎng)的機臺設備的價(jià)值、以及內地政府在集成電路產(chǎn)業(yè)上的政策優(yōu)惠，因而并非臺積電到大陸砸30億。南京工廠(chǎng)于2018年11月量產(chǎn)，已經(jīng)導入了16nm FinFET工藝，月產(chǎn)能約為10000至15000片，預計到2020年，月產(chǎn)能有望達到2萬(wàn)片。 聯(lián)電來(lái)得比臺積電更早。聯(lián)電在廈門(mén)的晶圓廠(chǎng)于2014年開(kāi)設籌建，2016年第4季起進(jìn)入量產(chǎn)，已可提供 40nm及28nm 的晶圓專(zhuān)工服務(wù)，月產(chǎn)能為20000片。雖然有一些媒體報道聯(lián)電將會(huì )導入14nm工藝，但根據現在的情況看，由于臺灣當局“N-1”代技術(shù)代差的限制，聯(lián)電恐怕不會(huì )導入14nm工藝，根據目前的消息來(lái)看，聯(lián)電此后會(huì )導入一些28nm以上的特色工藝。 格羅方德在2017年于成都設立子公司格芯半導體，GF出設備，占據51%的股份，地方政府出土地和廠(chǎng)房，占49%的股份。GF計劃投資90億美元建設一條12寸晶圓代工線(xiàn)，FDSOI終于落戶(hù)中國。根據格羅方德的PPT，格芯12寸晶圓代工廠(chǎng)分兩期建設： 第一期0.18um和0.13um，技術(shù)轉移來(lái)自GF新加坡，2018底預計產(chǎn)能約2萬(wàn)每月； 第二期為重頭戲22nm SOI工藝，2018年開(kāi)始從德國FAB轉移，計劃2019年投產(chǎn)，預計2019年下半年產(chǎn)能達到約6.5萬(wàn)每月。 不過(guò)，計劃趕不上變化，基于市場(chǎng)條件變化、格芯于近期宣布的重新專(zhuān)注于差異化解決方案，以及與潛在客戶(hù)的商議，GF取消對成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時(shí)，將修訂項目時(shí)間表，以更好地調整產(chǎn)能，滿(mǎn)足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。 然而，項目到底推進(jìn)的怎么樣，就只有天知道了，有消息聲稱(chēng)成都工廠(chǎng)情況不妙。就GF這個(gè)項目來(lái)說(shuō)，最大的意義在于導入了FD SOI工藝，這樣可以對沖FinFET工藝研發(fā)的風(fēng)險。在制造工藝越來(lái)越接近物理極限的時(shí)候，還能用FinFET+SOI的方式來(lái)續命。 由于境外大廠(chǎng)紛紛來(lái)中國大陸布局，即便中芯國際在12/14nm工藝上取得突破，也可能會(huì )遭遇臺積電、聯(lián)電、GF在中國大陸工廠(chǎng)的狙擊和競爭。 14nm FinFET工藝即將量產(chǎn) 根據中芯國際方面公布的消息，在2019年第二季度或第三季度，14nm FinFET工藝將開(kāi)始生產(chǎn)，而且不是試生產(chǎn)，是直接量產(chǎn)。之后，中芯國際會(huì )著(zhù)手研發(fā)22nm工藝和12nm工藝。22nm工藝可以靠現有的設備和技術(shù)搞定，之所以做22nm工藝，主要是因為客戶(hù)要求，畢竟在28nm工藝之后，使用越先進(jìn)的工藝成本就越高，因而一些客戶(hù)為了性?xún)r(jià)比，主動(dòng)選擇22nm工藝。 中芯國際的12nm工藝也是進(jìn)展喜人，根據官方的消息：“12nm的pdk已經(jīng)ready，IP研發(fā)已經(jīng)進(jìn)行。性能方面功耗降低20%， 性能提高10%，面積減少20%。我們的12nm有競爭優(yōu)勢”。 誠然，由于臺積電量產(chǎn)16nm和12nm工藝芯片的時(shí)間更早——16nm工藝于2015年導入，因而臺積電會(huì )在各方面具有一定優(yōu)勢。不過(guò)，由于光刻機等半導體設備的成本實(shí)在是太貴了，整個(gè)設備折舊周期還沒(méi)有結束，因而臺積電在成本上的優(yōu)勢并不會(huì )太大。目前14nm一片wafer價(jià)格約6000美金左右，雖然在中芯國際實(shí)現技術(shù)突破之后，臺積電肯定會(huì )降價(jià)，但不至于降價(jià)降得太多，讓中芯國際無(wú)法承受。 因此，即便比臺積電晚4年量產(chǎn)14/16nm芯片，但也不至于前途徹底被堵死。何況，此前在研發(fā)14nm工藝時(shí)，國家牽頭華為和高通也投資參與，就是為了拉住華為和高通兩個(gè)大客戶(hù)，相信在中芯國際14nm工藝量產(chǎn)之后，華為和高通也會(huì )把一部分芯片訂單交給中芯國際。 另外，還有很多客戶(hù)會(huì )選擇相對老舊的工藝，還是因為之前提到的成本問(wèn)題，即便臺積電5nm開(kāi)始量產(chǎn)，很多企業(yè)也會(huì )停留在7nm、14nm這些成熟的工藝上。 對于中芯國際2019年的情況，中芯國際自己的預期是： 總體來(lái)看代工行業(yè)今年不會(huì )大幅下滑，盡管當下市場(chǎng)和客戶(hù)對景氣度都有擔心，部分客戶(hù)由于自身庫存較高不愿意取走wafer，但是我們看到庫存體量將出現下滑，二季度訂單加強。雖然手機等市場(chǎng)下滑，但是如BCD，CIS，24nm NAND，高壓驅動(dòng)等新平臺，尤其是擴展的28nm平臺（low power，RF， higk-K+）預計將在2018年較快成長(cháng)。因此2019年應該較2018年持平。 期待中芯國際能夠穩步前行。 |
