Diodes 公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線(xiàn)性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開(kāi)關(guān)電路，提供更高的功率密度設計。
DXTN07xxxxFG (NPN) 與 DXTP07xxxxFG (PNP) 系列以工業(yè)級消費性市場(chǎng)為目標，范圍涵蓋 25V 至 100V VCEO；同時(shí)具備 2W 總功率消耗及最高 +175°C 額定作業(yè)溫度。新款晶體管外殼采用小型 PowerDI®3333 表面黏著(zhù)封裝，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm，占用 PCB 的空間比傳統 SOT223 少 70%，以散熱效率更高的封裝提供類(lèi)似的功率消耗。 PowerDI3333 封裝具有可潤濕側翼 (wettable flank)，可提高 PCB 傳輸速率，促進(jìn)焊接點(diǎn)的高速自動(dòng)光學(xué)檢查 (AOI)，因此無(wú)需使用 X 光檢查。 全系列 DXTN07xxxxFG 與 DXTP07xxxxFG 裝置將于 2019 年第 1 季底通過(guò)汽車(chē)認證后，開(kāi)始供應樣品。 詳細信息請參閱 www.diodes.com |
