飛兆半導體宣布其MicroFET現推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經(jīng)理合作，開(kāi)發(fā)了集成式P溝道PowerTrench MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿(mǎn)足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關(guān)重要的效率和熱性能需求。
相比傳統MOSFET器件，FDFMA2P859T具有出色的功率耗散和傳導損耗特性，且其封裝高度為0.55mm，比行業(yè)標準0.8mm MicroFET降低了30%，適用于在最新的便攜式手機、媒體播放器和醫療設備中常見(jiàn)的薄型設計。 FDFMA2P859T專(zhuān)為滿(mǎn)足客戶(hù)的設計需求而開(kāi)發(fā)，在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能，并確保肖特基二極管在Vr=10V下保持1µA的極低反向泄漏電流(lr)。這些特性都能夠大大提升線(xiàn)性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率。 FDFMA2P859T是飛兆半導體廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，此系列的特別設計能夠滿(mǎn)足當今和未來(lái)設計之效率、空間和熱性能需求。 價(jià)格 (訂購1000個(gè)，每個(gè)): 0.39美元 供貨: 現提供樣品 交貨期: 6至8周 產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從以下網(wǎng)址獲�。�http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFMA2P859T.pdf |
