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傳統CMOS工藝縮放技術(shù)的發(fā)展正逐漸逼近極限，迫切需要采用新材料和新器件設計。隨著(zhù)這些新材料和新設計的出現，人們非常關(guān)注潛在失效機理，并需要進(jìn)行更多的可靠性測試。諸如偏溫不穩定性（N-BTI和P-BTI）等失效機理需要高速信號源和測量功能才能解析快速恢復效應。通過(guò)分析包括在運行中測量在內的各種測量技術(shù)，有助于利用合適的儀器實(shí)現有效的測量解決方案。 偏溫不穩定性（Bias Temperature Instability，BTI）是指當MOSFET經(jīng)受溫度應力時(shí)閾值電壓出現的不穩定現象。對于模擬應用，例如晶體管成對匹配，很小的閾值電壓漂移都會(huì )導致電路失效。通過(guò)增大晶體管的面積可以減少多種影響FET匹配的工藝偏差，這使得BTI成為限制因素。 在CMOS縮放工藝和精確模擬CMOS技術(shù)中，監測并控制偏溫不穩定性——包括負偏（NBTI）和正偏（PBTI）——的需求日益增大。當前NBTI的JEDEC標準將“測量間歇期間的NBTI恢復”視為促使可靠性研究人員不斷改進(jìn)測試技術(shù)的關(guān)鍵。實(shí)驗數據表明，測量下降的時(shí)間斜率與測量延遲和測量速度密切相關(guān)。 人們已經(jīng)研究出幾種測量技術(shù)，能夠最大限度減少測量延遲，提高測量速度，同時(shí)監測工藝導致的BTI漂移。每種技術(shù)都各有優(yōu)缺點(diǎn)。本文將分析其中一些技術(shù)，包括在運行中測量，并討論有效實(shí)現BTI應用所需的測試儀器。 下載： 
面向BTI特征分析的在運行中閾值電壓測量.pdf
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