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Everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關(guān)應用方面的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無(wú)二的。在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。下面要介紹關(guān)于everspin公司MRAM演示軟件分析 everspin公司MRAM演示軟件分析 MRAM低級驅動(dòng)程序通過(guò)操作系統和調度程序集成到動(dòng)力總成應用程序中。讀寫(xiě)周期由系統時(shí)鐘（300MHz）測量。圖1＆2顯示了針對動(dòng)力總成應用的具有不同非易失性存儲器接口的每個(gè)分區的讀/寫(xiě)時(shí)間。這些表顯示大多數讀/寫(xiě)周期小于2ms。毫不奇怪，該表確認35ns并行接口以比40MHz串口串行mram更快的速率傳輸數據。 Figure 1 SPI MRAM; CLK 40MHz 使用SPI MRAM時(shí)，由于微控制器的硬件延遲（緩沖區接收/發(fā)送，設置/清除標志，讀/寫(xiě)存儲器）以及MRAM和微控制器總線(xiàn)之間的同步，因此讀周期要比寫(xiě)周期花費更長(cháng)的時(shí)間，與并行MRAM類(lèi)似，寫(xiě)入周期比讀取周期要花費更長(cháng)的時(shí)間。1＆2中顯示的值包括硬件收發(fā)器，硬件延遲（收發(fā)器緩沖區，讀/寫(xiě)存儲器），LLD軟件延遲以及MRAM與動(dòng)力總成微控制器之間的同步。 Figure 2 EBI MRAM; CLK 66.666MHz 我們用EBI和SPI接口設備驗證了不同的動(dòng)力總成工作模式。 在整個(gè)地址空間范圍內讀寫(xiě)各種類(lèi)型的數據。通常，MRAM的操作和時(shí)序類(lèi)似于32位微控制器的規范和時(shí)序。 而且，與DLFASH相比，當今的非易失性存儲器可以接受MRAM設備的性能和吞吐量。 everspin 128K 串口串行mram型號如下
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everspin 128K 串口串行mram型號如下
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| Everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關(guān)應用方面的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無(wú)二的。在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。 |
| MRAM低級驅動(dòng)程序通過(guò)操作系統和調度程序集成到動(dòng)力總成應用程序中。讀寫(xiě)周期由系統時(shí)鐘（300MHz）測量 |
