英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
“隨著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監Steffen Metzger表示，“這凸顯了我們在市場(chǎng)中的獨特地位：英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的制造商。而全新CoolSiC系列是我們矢志成為工業(yè)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)領(lǐng)域頭號供應商的有力支持�！� 650 V CoolSiC MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間，既可采用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開(kāi)關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過(guò)去發(fā)布的所有CoolSiC MOSFET產(chǎn)品相比，全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導體技術(shù)。通過(guò)最大限度地發(fā)揮碳化硅強大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類(lèi)拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗。此外，它們還具備最高的跨導水平（增益）、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩健性�？偠灾�，溝槽技術(shù)可以在毫不折衷的情況下，在應用中實(shí)現最低的損耗，并在運行中實(shí)現最佳可靠性。 與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比，650 V CoolSiC MOSFET能夠帶來(lái)更加吸引人的優(yōu)勢：更高開(kāi)關(guān)頻率下更優(yōu)的開(kāi)關(guān)效率以及出色的可靠性。得益于與溫度相關(guān)的超低導通電阻（RDS(on)），這些器件具備出色的熱性能。此外，它們還采用了堅固耐用的體二極管，有非常低的反向恢復電荷：比最佳的超結CoolMOS MOSFET低80%左右。其換向堅固性，更是輕松實(shí)現了98%的整體系統效率，如通過(guò)連續導通模式圖騰柱功率因素校正（PFC）。 為了簡(jiǎn)化采用650 V CoolSiC MOSFET的應用設計，確保器件高效運行，英飛凌還提供了專(zhuān)用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER柵極驅動(dòng)器IC。這個(gè)解決方案（整合了CoolSiC開(kāi)關(guān)和專(zhuān)用的柵極驅動(dòng)器IC）有助于降低系統成本和總擁有成本，以及提高能效。CoolSiC MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER柵極驅動(dòng)器系列IC無(wú)縫協(xié)作。 供貨情況 650 V CoolSiC MOSFET系列共8個(gè)版本，采用兩種插件TO-247封裝，現已支持訂購。三種專(zhuān)用柵極驅動(dòng)器IC將于2020年3月起供貨。了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。 |
