查看: 1967|回復: 4
打印 上一主題 下一主題

為MRAM工藝打造的量測方案

[復制鏈接]
跳轉到指定樓層
樓主
發(fā)表于 2020-3-18 16:53:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在不久的將來(lái),我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車(chē)、邊緣運算和人工智能(AI)等應用中。美國EVERSPIN還提供了幾種獨立的MRAM產(chǎn)品,鎖定包括航天、汽車(chē)、儲存、工廠(chǎng)自動(dòng)化、IoT、智慧能源、醫療和工業(yè)機器控制/運算等應用。

半導體工藝控制和支持技術(shù)供貨商KLA對MRAM作為一種新興的NVM技術(shù)的前景感到振奮,為IC制造商提供了一系列解決方案的組合,可幫助加速MRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā),確保成功實(shí)現量產(chǎn)并在生產(chǎn)中取得最佳良率。這些技術(shù)解決方案包括:

使用散射測量和成像的迭對量測系統進(jìn)行圖案對準(patterning alignment)量測,使用光學(xué)散射測量CD和形狀計量系統進(jìn)行關(guān)鍵尺寸和3D組件形狀測量以及run time patterning control數分析,以?xún)?yōu)化MRAM cell patterning 組件迭對、CD和形狀。

使用光譜橢圓偏振(SE)技術(shù)進(jìn)行膜厚度和化學(xué)計量的測量,這些技術(shù)為MTJ迭層沉積提供了重要的關(guān)鍵參數。

MRAM堆棧沉積的電磁特性,可使用CAPRES電流平面穿隧(CIPTech)和MicroSense磁光Kerr效應,提供對預計的最終電池性能的早期反饋(MOKE)技術(shù)。CAPRESCIPTech是一種12點(diǎn)探針電阻技術(shù),可在產(chǎn)品晶圓圖案化之前,針對MTJ迭層進(jìn)行沉積、退火和磁化后的TMR和RA測量。MicroSense Polar Kerr MRAM (PKMRAM)則表征了磁性能,例如自由層和固定層的矯頑場(chǎng),以及多層MTJ堆棧在沉積、退火和在毯覆薄膜或有圖案的晶圓上磁化。這種非接觸式全晶圓技術(shù)可測量自由層和固定層的磁性。

一系列控片和在線(xiàn)產(chǎn)品晶圓缺陷檢測和檢視系統(取決于靈敏度和采樣要求),可以在線(xiàn)檢測關(guān)鍵缺陷,幫助工程師發(fā)現并解決可能影響良率和組件性能的工藝問(wèn)題。

In-situ process control wafers,透過(guò)在工藝反應爐中擷取和記錄參數并用于可視化、診斷和控制工藝條件。

沙發(fā)
 樓主| 發(fā)表于 2020-3-18 17:00:20 | 只看該作者
半導體工藝控制和支持技術(shù)供貨商KLA對MRAM作為一種新興的NVM技術(shù)的前景感到振奮,為IC制造商提供了一系列解決方案的組合,可幫助加速MRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā),確保成功實(shí)現量產(chǎn)并在生產(chǎn)中取得最佳良率。
板凳
 樓主| 發(fā)表于 2020-3-18 17:01:22 | 只看該作者
使用散射測量和成像的迭對量測系統進(jìn)行圖案對準(patterning alignment)量測,使用光學(xué)散射測量CD和形狀計量系統進(jìn)行關(guān)鍵尺寸和3D組件形狀測量以及run time patterning control數分析,以?xún)?yōu)化MRAM cell patterning 組件迭對、CD和形狀。
地板
 樓主| 發(fā)表于 2020-3-18 17:03:05 | 只看該作者
使用光譜橢圓偏振(SE)技術(shù)進(jìn)行膜厚度和化學(xué)計量的測量,這些技術(shù)為MTJ迭層沉積提供了重要的關(guān)鍵參數。
您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

本版積分規則

關(guān)于我們  -  服務(wù)條款  -  使用指南  -  站點(diǎn)地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復 返回頂部 返回列表
午夜高清国产拍精品福利|亚洲色精品88色婷婷七月丁香|91久久精品无码一区|99久久国语露脸精品|动漫卡通亚洲综合专区48页