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eMRAM屬于新型存儲技術(shù)，同目前占據市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。它在22nm的工藝下投產(chǎn)，將會(huì )加快新型存儲技術(shù)的應用進(jìn)程，未來(lái)發(fā)展前景將被看好。 新型存儲器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優(yōu)勢。例如以統合式 MRAM解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省90%的功耗。不過(guò)目前下一代存儲器在量產(chǎn)制程方面仍然存在很多瓶頸。 eMRAM等新型存儲器芯片將會(huì )取代DRAM和NAND FLASH成為市場(chǎng)主流嗎？eMRAM只會(huì )取代部分DRAM和NAND的使用量，但仍是沒(méi)有辦法完全取代現有的存儲器解決方案。在所有新一代存儲器芯片中，eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash來(lái)說(shuō)是極其的相似，具備一定的優(yōu)缺點(diǎn)，并未具備完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存儲器芯片對于傳統平臺來(lái)說(shuō)，需要改變以往的平臺架構才能適應，并不是可以輕松使用的。。 也就是說(shuō)新一代存儲器想要獲得一定的市場(chǎng)空間，還需要與現有的存儲器芯片解決方案進(jìn)行配合，加快適應傳統平臺的架構，釋放性能方面的優(yōu)勢。行業(yè)領(lǐng)先半導體供應商的EVERSPIN致力于生產(chǎn)研發(fā)MRAM，eMRAM存儲芯片,滿(mǎn)足市場(chǎng)的一切需求。制造和商業(yè)銷(xiāo)售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導者，在包括40nm，28nm及更高技術(shù)節點(diǎn)在內的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生產(chǎn)中. |
| eMRAM屬于新型存儲技術(shù)，同目前占據市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。 |
| 新型存儲器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優(yōu)勢。例如以統合式 MRAM解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省90%的功耗。 |
行業(yè)領(lǐng)先半導體供應商的EVERSPIN制造和商業(yè)銷(xiāo)售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導者，在包括40nm，28nm及更高技術(shù)節點(diǎn)在內的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生產(chǎn)中.英尚微電子作為核心授權代理商,為各行業(yè)領(lǐng)域提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品供應.
Everspin MRAM產(chǎn)品介紹.pdf
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