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在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實(shí)現比目前這類(lèi)硬件上的首選存儲類(lèi)內存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)實(shí)現非易失性數據存儲。非易失性MRAM 本身訪(fǎng)問(wèn)速度也相當快，這便意味著(zhù)不僅可以用它取代這類(lèi)硬件設備上的閃存，還可以替換掉大部分 SRAM，從而進(jìn)一步節約成本。 和 MRAM 的目標市場(chǎng)不同的是，ReRAM 和 PCRAM 更有可能出現在數據中心服務(wù)器中，這兩種器件是存儲級內存的理想選擇。SCM 提供的一種比 NAND 產(chǎn)品快得多并且比 DARM 更加便宜的中間存儲器層。英特爾的3D XPoint Optane Persistent Memory 產(chǎn)品似乎使用某種相變技術(shù)，是 PCRAM 技術(shù)的早期應用實(shí)例。 在 MRAM 這個(gè)賽道中，三星已于去年的三月份發(fā)售了首款 MRAM 產(chǎn)品，還有Everspin該家 MRAM 提供商的產(chǎn)品被 IBM 用作高容量（19TB）SSD 的緩存。EVERSPIN其MRAM產(chǎn)品得到了 Sage 微電子用于企業(yè)級 SSD 的閃存控制器的支持。作為Everspin的核心代理商英尚微電子已給各行業(yè)領(lǐng)域提供了大量?jì)?yōu)質(zhì)可靠的MRAM產(chǎn)品。全球最大的半導體設備制造商，應用材料公司是許多業(yè)界頂級代工廠(chǎng)的主要供應商，應用材料公司為大批量生產(chǎn) MRAM、PCRAM 和 ReRAM 而設計的新系統，目的是幫助使得基于這些新型技術(shù)的器件更加可靠和經(jīng)濟高效。 各種新型應用帶來(lái)的數據爆炸導致數據訪(fǎng)問(wèn)性能和計算性能的失衡不斷增長(cháng)，從而推動(dòng)了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)的發(fā)展。最近在新型 RAM 技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)展能否開(kāi)啟新型 ram 市場(chǎng)的騰飛還有待進(jìn)一步觀(guān)察。當然如果應用材料公司制造新 RAM 的系統取得了成功，也就理所當然地意味著(zhù)市場(chǎng)上將出現更多使用了這些替代性的新型 RAM 器件的設備，同時(shí)也可能會(huì )出現一些新的存儲器供應商。 |
| 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實(shí)現比目前這類(lèi)硬件上的首選存儲類(lèi)內存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)實(shí)現非易失性數據存儲。 |
| 各種新型應用帶來(lái)的數據爆炸導致數據訪(fǎng)問(wèn)性能和計算性能的失衡不斷增長(cháng)，從而推動(dòng)了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)的發(fā)展。 |
| 更多相關(guān)技術(shù)資料可聯(lián)系Everspin核心代理商英尚微電子，扣3161422826 |
