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星憶存儲為電子工業(yè)提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存儲器產(chǎn)品。專(zhuān)注于XRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設計，提供低延時(shí)，低功耗和免刷新動(dòng)態(tài)隨機存儲器產(chǎn)品致力于通過(guò)創(chuàng )新型存儲技術(shù)商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的過(guò)程，帶動(dòng)國產(chǎn)存儲芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作，從而推動(dòng)國家存儲芯片設計前端產(chǎn)業(yè)變革和更進(jìn)一步的發(fā)展。接下來(lái)星憶代理商英尚微電子介紹STM32F4開(kāi)發(fā)板STM32F4如何驅動(dòng)外部SRAM芯片XM8A51216。 STM32F407ZGT6自帶了192K字節的SRAM，對一般應用來(lái)說(shuō)，已經(jīng)足夠了，不過(guò)在一些對內存要求高的場(chǎng)合，STM32F4自帶的這些內存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用，所以STM32F4開(kāi)發(fā)板板載了一顆1M字節容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿(mǎn)足大內存使用的需求。我們將使用STM32F4來(lái)驅動(dòng)X(jué)M8A51216，實(shí)現對XM8A51216的訪(fǎng)問(wèn)控制。 XM8A51216簡(jiǎn)介 XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節）容量的CMOS靜態(tài)內存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)： ⚫高速。具有最高訪(fǎng)問(wèn)速度10/12ns。 ⚫低功耗。 ⚫TTL電平兼容。 ⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。 ⚫三態(tài)輸出。 ⚫字節控制功能。支持高/低字節控制。 XM8A51216的功能框圖如圖1所示： 圖1 XM8A51216功能框圖 圖中A0~18為地址線(xiàn)，總共19根地址線(xiàn)（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數據線(xiàn)，總共16根數據線(xiàn)。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫(xiě)使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節控制和低字節控制信號；STM32F4開(kāi)發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片，該芯片直接接在STM32F4的FSMC上，XM8A51216原理圖如圖2所示： 圖2 XM8A51216原理圖 從原理圖可以看出，XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系： A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不過(guò)順序錯亂了） D[0:15]接FSMC_D[0:15] UB接FSMC_NBL1 LB接FSMC_NBL0 OE接FSMC_OE WE接FSMC_WE CS接FSMC_NE3 上面的連接關(guān)系，XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不過(guò)這并不影響我們正常使用外部SRAM，因為地址具有唯一性。所以只要地址線(xiàn)不和數據線(xiàn)混淆，就可以正常使用外部SRAM。這樣設計的好處，就是可以方便我們的PCB布線(xiàn)。 
XM8A51216V33(8M).pdf
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XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節）容量的CMOS靜態(tài)內存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)： ⚫高速。具有最高訪(fǎng)問(wèn)速度10/12ns。 ⚫低功耗。 ⚫TTL電平兼容。 ⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。 ⚫三態(tài)輸出。 ⚫字節控制功能。支持高/低字節控制。 |
| STM32F407ZGT6自帶了192K字節的SRAM，對一般應用來(lái)說(shuō)，已經(jīng)足夠了，不過(guò)在一些對內存要求高的場(chǎng)合，STM32F4自帶的這些內存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用，所以STM32F4開(kāi)發(fā)板板載了一顆1M字節容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿(mǎn)足大內存使用的需求。 |
