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在2019全球閃存峰會(huì )上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類(lèi)非易失性存儲和NVMe SSD構建未來(lái)的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1.非易失性存儲器芯片，比傳統的SRAM或者DRAM在數據保持方面更強； 2.芯片容量較大，單顆芯片容量高達1Gb； 3.采用DDR4接口，帶寬可以到2.7GB/s，超強性能； 4.擦寫(xiě)次數幾十億次！生命周期； 5.超低延遲； 6.數據保存期很久：85度高溫下數據可以保存10年以上； 7.數據錯誤率低； 8.可靠性強。 MRAM可應用在NVMe SSD的下列場(chǎng)景，PCIe SSD、NVMe-oF、全閃存陣列： NVMe SSD場(chǎng)景 MRAM為NVMe SSD，尤其是QLC做緩存有以下優(yōu)勢： 采用MRAM之后，NVMe SSD內部的架構發(fā)生了以下圖片的變化，將MRAM作為數據緩存使用，而FTL映射表存儲依然是DRAM： NVMe-oF場(chǎng)景 數據中心采用NVMe-oF有以下四大優(yōu)勢： 1. 實(shí)現低于1微秒的數據傳輸，跳過(guò)內核、跳過(guò)主機CPU和內存、可以P2P傳輸； 2. 把CPU計算任務(wù)分攤到專(zhuān)用計算芯片或者存儲控制器； 3. 讀寫(xiě)帶寬更高； 4. 服務(wù)器可以更簡(jiǎn)單、省電，不用昂貴的X86 CPU，用ARM CPU就夠了。 以下圖片是傳統的NVMe-oF的數據流，要通過(guò)系統內存和CPU再進(jìn)入NVMe SSD，這樣會(huì )導致讀寫(xiě)延遲比較長(cháng)。 如果采用了MRAM作為智能網(wǎng)卡上的緩存，數據就直接通過(guò)P2P傳輸給NVMe SSD，并跳過(guò)了系統內存和CPU，大大縮短讀寫(xiě)延遲，也大幅提升性能。 MRAM用在全閃存陣列 在全閃存陣列的存儲控制器中，MRAM可以作為緩存加速，并提升產(chǎn)品性能及可靠性，同時(shí)可以不需要額外的電池或者電容。 未來(lái)的數據中心存儲長(cháng)這樣？ 未來(lái)以NVMe SSD和NVMe-oF為基礎的云存儲硬件架構如下圖，其中MRAM可以用在網(wǎng)卡緩存、NVDIMM、全閃存陣列加速和NVMe SSD內部。 Everspin公司專(zhuān)業(yè)設計制造嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩STT-MRAM的領(lǐng)導者，其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在數據中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運輸市場(chǎng)中提供了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-RAM產(chǎn)品，為MRAM用戶(hù)奠定了強大，增長(cháng)快的基礎。Everspin MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē)，工業(yè)，軍事和太空應用。Everspin代理英尚微電子提供完善的產(chǎn)品解決方案及技術(shù)方面支持和指導. 
Everspin MRAM產(chǎn)品介紹.pdf
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首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1.非易失性存儲器芯片，比傳統的SRAM或者DRAM在數據保持方面更強； 2.芯片容量較大，單顆芯片容量高達1Gb； 3.采用DDR4接口，帶寬可以到2.7GB/s，超強性能； 4.擦寫(xiě)次數幾十億次！生命周期； 5.超低延遲； 6.數據保存期很久：85度高溫下數據可以保存10年以上； 7.數據錯誤率低； 8.可靠性強。 |
| 如果采用了MRAM作為智能網(wǎng)卡上的緩存，數據就直接通過(guò)P2P傳輸給NVMe SSD，并跳過(guò)了系統內存和CPU，大大縮短讀寫(xiě)延遲，也大幅提升性能 |
