數據記錄應用STT-MRAM芯片S3R1016

發(fā)布時(shí)間:2023-6-25 17:31    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: STT-MRAM , MRAM
Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量為1Mbit的自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。數據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于簡(jiǎn)化系統設計。是一個(gè)具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過(guò)數據字節控制(LB、UB)訪(fǎng)問(wèn)低位和高位字節。支持異步頁(yè)面模式功能,以提高讀寫(xiě)性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的頁(yè)面大小分別為4個(gè)字和8個(gè)字。
在數據記錄應用中,數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過(guò)程?梢杂涗浵到y內外部發(fā)生的事件;使用歷史;環(huán)境參數 ;機器狀態(tài);用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。
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