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STT-MRAM是一種先進(jìn)的磁阻，它利用電子自旋的磁性在半導體中提供非易失性。MRAM代表磁阻隨機存取存儲器，是一種使用磁狀態(tài)而不是DRAM等設備使用的電荷來(lái)存儲數據位的方法。 STT-MRAM由三星電子公司的代工廠(chǎng)制造，得益于三星代工廠(chǎng)的28納米FD-SOI工藝，Netsol MRAM擁有低功耗和更緊湊的尺寸。今年大規模生產(chǎn)STT-MRAM，在從物聯(lián)網(wǎng)到醫療和汽車(chē)的廣泛行業(yè)提供替代品。 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來(lái)快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器�？商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb，具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線(xiàn)、雙線(xiàn)和四線(xiàn)SPI。數據保存期10年，擁有無(wú)限讀取耐力，寫(xiě)入耐力1014，無(wú)需外部ECC，工業(yè)標準引腳及封裝8WSON、8SOP。樣品測試及規格書(shū)詳情聯(lián)系代理英尚微電子。 Netsol 串行MRAM
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