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EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進(jìn)行DDR3操作。它的設計符合所有DDR3 DRAM功能，包括設備端接（ODT）和內部ZQ校準，但具有數據持久性和極高的寫(xiě)周期耐久性的優(yōu)點(diǎn)。借助Spin-Torque MRAM技術(shù)，不需要刷新單元，從而大大簡(jiǎn)化了系統設計并減少了開(kāi)銷(xiāo)。 所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時(shí)鐘同步，輸入鎖存在時(shí)鐘交叉點(diǎn)。 I/O與一對雙向選通脈沖（DQS，DQS）同步。該器件使用RAS / CAS多路復用方案，并在1.5V下工作。 特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標準DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁(yè)面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉換與CK轉換對齊 •所有地址和控制輸入均在時(shí)鐘的上升沿鎖存 •突發(fā)長(cháng)度為8，可編程突發(fā)斬波長(cháng)度為4 •標準10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 DDR3 DRAM兼容性 Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標準JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標準完全兼容，但本數據表中已指出和定義的例外和改進(jìn)之處。 •自旋扭矩MRAM是非易失性存儲器。無(wú)論何時(shí)出于任何原因斷開(kāi)設備電源，已關(guān)閉/預充電存儲區中的所有數據都將保留在內存中。 •在某些情況下，命令時(shí)間會(huì )有所不同。 •DDR3標準適用于高于256Mb的密度，從而導致尋址和頁(yè)面大小差異。 •突發(fā)類(lèi)型/突發(fā)順序僅支持CA <2：0 = 000或100的連續突發(fā)類(lèi)型。 •當MRAM與本標準之間的功能，時(shí)序，參數或條件相同時(shí)。 關(guān)于Everspin Everspin Technologies，Inc.總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒，是設計和制造和商業(yè)銷(xiāo)售MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的翹楚，其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和可靠性。完整性和低延遲以及安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數據中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶(hù)奠定了最強大，增長(cháng)最快的基礎。everspin代理宇芯電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持和產(chǎn)品應用解決方案。 
EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf
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| EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進(jìn)行DDR3操作。它的設計符合所有DDR3 DRAM功能，包括設備端接（ODT）和內部ZQ校準，但具有數據持久性和極高的寫(xiě)周期耐久性的優(yōu)點(diǎn)。借助Spin-Torque MRAM技術(shù)，不需要刷新單元，從而大大簡(jiǎn)化了系統設計并減少了開(kāi)銷(xiāo)。 |
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特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標準DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁(yè)面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉換與CK轉換對齊 •所有地址和控制輸入均在時(shí)鐘的上升沿鎖存 •突發(fā)長(cháng)度為8，可編程突發(fā)斬波長(cháng)度為4 •標準10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 |
