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最初的MRAM都是用微電磁線(xiàn)圈產(chǎn)生電磁場(chǎng)，使自由層的磁矩方向反轉來(lái)進(jìn)行0、1數據的讀寫(xiě)。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進(jìn)程，因此當時(shí)MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM。 后來(lái)科學(xué)家們想出了用自旋極化的電子流脈沖取代微電磁線(xiàn)圈的突破方案。穿過(guò)微磁粒的自旋極化電子流脈沖具有確定的磁場(chǎng)方向，它的磁矩在這里被稱(chēng)為“自旋轉移力矩”或簡(jiǎn)稱(chēng)“自旋轉矩”，即前面提到的STT。自旋極化電子流可以代替電磁線(xiàn)圈使微磁粒的磁場(chǎng)方向發(fā)生反轉，因此這種方式也被稱(chēng)為流致反轉。 STT可視為相反于巨磁阻的效應，顯示的是電流通過(guò)多層膜結構后改變多層膜的磁化特性。當具高密度的自旋極化電流通過(guò)鐵磁金屬，由于極化電子角動(dòng)量的轉移部份角動(dòng)量至鐵磁金屬中的磁矩，因而產(chǎn)生力矩。對于鐵磁(F)/非鐵磁(N)/鐵磁(F)的多層膜系統，電流方向垂直膜面進(jìn)行(CPP)。鐵磁層F1藉由形狀異向性或外加場(chǎng)來(lái)保持磁化方向固定，而鐵磁層F2則為自由層,兩鐵磁層間亦由非磁性金屬層隔開(kāi)。 自旋極化電流通過(guò)此多層膜結構所轉移的力矩效應與電流流向有關(guān):當電子流由固定層F1流向自由層F2時(shí)，力矩傾向于將F2中磁矩轉向于平行F1層之磁化方向;當電子流由自由層F2流向固定層F1時(shí)，力矩效應則傾向于使自由層的磁矩與固定層磁矩反向。因此在不需要外加翻轉磁場(chǎng)的情況下，可藉由極化電流的傳輸而使固定層與自由層鐵磁金屬同向或反向極化。 通過(guò)精細地控制自旋極化電子流脈沖的形狀和長(cháng)度,在實(shí)驗室中用STT- MRAM原型芯片使其納米磁粒的反轉時(shí)間達到了1ns接近了理論上的極限。采用100nm尺度下的磁矩閉合型納米環(huán)狀磁性隧道結作為存儲單元，利用正負脈沖極化電流直接驅動(dòng)比特層磁矩翻轉的工作原理，解決了常規MRAM相對功耗高、存儲密度低等瓶頸問(wèn)題。該器件利用500～65Q A脈沖極化電流就可以直接驅動(dòng)存儲單元比特層的磁矩翻轉進(jìn)行寫(xiě)操作﹐并有望進(jìn)一步優(yōu)化和降低寫(xiě)操作電流，而讀操作只需要10～2Q A的脈沖電流。 目前STT效應的研究已發(fā)展成磁學(xué)界一個(gè)重要的研究熱點(diǎn)。其重要之處在于，這一效應不僅在理論上提出了自旋電流調控薄膜磁矩的物理新理念，而且它可以用于發(fā)展電流直接調控的STT- MRAM。STT - MRAM目前面臨的主要問(wèn)題是翻轉電流過(guò)大。至于如何降低翻轉電流﹐還沒(méi)有切實(shí)可行的辦法，但許多研究者已經(jīng)給出了建議和嘗試。 |
| STT可視為相反于巨磁阻的效應，顯示的是電流通過(guò)多層膜結構后改變多層膜的磁化特性。當具高密度的自旋極化電流通過(guò)鐵磁金屬，由于極化電子角動(dòng)量的轉移部份角動(dòng)量至鐵磁金屬中的磁矩，因而產(chǎn)生力矩。 |
