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Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進(jìn)行DDR3操作。它的設計符合所有DDR3 DRAM功能，包括設備端接（ODT）和內部ZQ校準，但具有數據持久性和極高的寫(xiě)周期耐久性的優(yōu)點(diǎn)。借助Spin-Torque MRAM技術(shù)，不需要刷新單元，從而大大簡(jiǎn)化了系統設計并減少了開(kāi)銷(xiāo)。 所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時(shí)鐘同步，輸入鎖存在時(shí)鐘交叉點(diǎn)。 I / O與一對雙向選通脈沖（DQS，DQS）同步。該器件使用RAS / CAS多路復用方案，并在1.5V下工作。 特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持標準DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高達667MHz fCK（1333MT /秒/針） •頁(yè)面大小為512位（x8）或1024位（x16） •設備上終止 •片上DLL將DQ，DQS，DQS轉換與CK轉換對齊 •所有地址和控制輸入均在時(shí)鐘的上升沿鎖存 •突發(fā)長(cháng)度為8，可編程突發(fā)斬波長(cháng)度為4 •標準10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封裝 DDR3 DRAM兼容性 Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標準JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標準完全兼容。 •自旋扭矩MRAM是非易失性存儲器。無(wú)論何時(shí)出于任何原因斷開(kāi)設備電源，已關(guān)閉/預充電存儲區中的所有數據都將保留在內存中。 •在某些情況下，命令時(shí)間會(huì )有所不同。 •DDR3標準適用于高于256Mb的密度，從而導致尋址和頁(yè)面大小差異。 •突發(fā)類(lèi)型/突發(fā)順序僅支持CA <2：0 = 000或100的連續突發(fā)類(lèi)型。請參見(jiàn)第30頁(yè)的“突發(fā)長(cháng)度，類(lèi)型和順序”。 基本功能 DDR3 STT-MRAM是內部配置為八存儲區RAM的高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。它使用8n預取架構來(lái)實(shí)現高速操作。8n預取架構與旨在在I/O引腳的每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數據字的接口相結合。DDR3 MRAM的單個(gè)讀或寫(xiě)操作包括內部STT-MRAM內核的單個(gè)8n位寬，四個(gè)時(shí)鐘數據傳輸以及I/O引腳上的兩個(gè)相應的n位寬，半時(shí)鐘周期數據傳輸。 對DDR3 STT-MRAM的讀和寫(xiě)操作是面向突發(fā)的，從選定的位置開(kāi)始，并按照編程的順序繼續進(jìn)行八次突發(fā)長(cháng)度或四次“斬波”突發(fā)。操作從激活活動(dòng)命令的注冊開(kāi)始，然后是READ或WRITE命令。與激活命令一致注冊的地址位用于選擇要激活的存儲體和行（[BA0：BA2]選擇存儲體； A0-A13選擇行）；有關(guān)特定要求，與READ或WRITE命令一致的已注冊地址位用于選擇突發(fā)操作的起始列位置，確定是否要發(fā)出自動(dòng)預充電命令（通過(guò)A10），并“即時(shí)”選擇BC4或BL8模式。 （通過(guò)A12）（如果在模式寄存器中啟用）。在正常操作之前，必須以預定義的方式上電并初始化DDR3 STT-MRAM。 EMD3D256M型號表
EMD3D256M08規格書(shū)下載 
EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf
(2.47 MB)
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