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英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計，以及溝槽柵芯片技術(shù)，為碳化硅打開(kāi)了250kW以上（硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門(mén)。在傳統62mm IGBT模塊基礎上，將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。 該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實(shí)現極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開(kāi)關(guān)頻率下運行時(shí)，可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，客戶(hù)可以設計尺寸更小的逆變器，從而降低整體系統成本。 它采用62mm標準基板和螺紋接口，具有高魯棒性的結構設計，從而最大限度地優(yōu)化并提高系統可用性，同時(shí)降低維修成本并減少停機損失。出色的溫度循環(huán)能力和150°C的連續工作溫度（Tvjop），帶來(lái)出色的系統可靠性。其對稱(chēng)的內部設計，使得上下開(kāi)關(guān)有了相同的開(kāi)關(guān)條件�？梢赃x裝“預處理熱界面材料”（TIM）配置，進(jìn)一步提高模塊的熱性能。 供貨情況 采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號可供選擇。它還有專(zhuān)為快速特性評估（雙脈沖/連續工作）而設計的評估板可供選擇。為了便于使用，它還提供了可靈活調整的柵極電壓和柵極電阻。同時(shí)，還可作為批量生產(chǎn)驅動(dòng)板的參考設計使用。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/sic-mosfet-modules， www.infineon.com/SiC。 |
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