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正確的同步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的選擇對于帶寬要求更高，系統性能更好的網(wǎng)絡(luò )應用至關(guān)重要。系統設計人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢，以便為其應用選擇正確的存儲器。 決定正確的同步SRAM選擇的一些關(guān)鍵因素是密度，等待時(shí)間，速度，讀/寫(xiě)比和功率。通過(guò)了解這些因素如何影響性能，可靠性和成本，設計人員可以為其應用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專(zhuān)注代理銷(xiāo)售SRAM，異步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存儲芯片，提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優(yōu)勢。標準同步SRAM通常用于工業(yè)電子，儀器儀表和軍事應用。這些設備通常用作數據緩沖區（臨時(shí)存儲），并且可以通過(guò)它們的高速，單數據速率（SDR）接口隨機訪(fǎng)問(wèn)。標準同步突發(fā)SRAM非常適合占主導地位的讀取或寫(xiě)入操作�？蛻�(hù)可以在具有用戶(hù)可選的線(xiàn)性和交錯突發(fā)模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線(xiàn)（PL）體系結構之間進(jìn)行選擇。 存儲器選擇：關(guān)鍵因素 選擇同步高速SRAM存儲器的主要考慮因素之一是數據帶寬，數據帶寬隨同步SRAM的不同類(lèi)型而變化。為了進(jìn)行計算，已考慮了最大時(shí)鐘頻率和x36的總線(xiàn)寬度。 同步SRAM存儲器選擇的另一個(gè)因素是功率效率。由于電源電壓較低，與標準同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了決定內存選擇的其他因素： 表1：存儲器選擇概述（注意：QDRII +和DDRII +選項隨ODT和不隨ODT一起提供。） 提供了各種各樣的同步高速SRAM。通過(guò)了解可用的不同類(lèi)型的內存，系統設計人員可以為其應用選擇正確的同步內存選項。 VTI 同步SRAM
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| 同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優(yōu)勢。標準同步SRAM通常用于工業(yè)電子，儀器儀表和軍事應用。這些設備通常用作數據緩沖區（臨時(shí)存儲），并且可以通過(guò)它們的高速，單數據速率（SDR）接口隨機訪(fǎng)問(wèn)。 |
| 標準同步突發(fā)SRAM非常適合占主導地位的讀取或寫(xiě)入操作�？蛻�(hù)可以在具有用戶(hù)可選的線(xiàn)性和交錯突發(fā)模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線(xiàn)（PL）體系結構之間進(jìn)行選擇。 |
