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隨著(zhù)有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰正在出現。通過(guò)將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來(lái)增強動(dòng)力. 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術(shù)都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變化會(huì )產(chǎn)生可測量的電阻率變化。從概念上講，每個(gè)單元由兩個(gè)磁體組成：一個(gè)是固定的，另一個(gè)是可以翻轉的。當磁體彼此平行時(shí)，電阻低。當第二個(gè)磁鐵反轉方向時(shí)，電阻很高。 由于磁性隧道結（MTJ）器件能夠通過(guò)僅三個(gè)額外的掩膜嵌入芯片的線(xiàn)路后端（BEOL）互連層，因此STT-MRAM技術(shù)享有低功耗和低成本的優(yōu)勢。在商業(yè)代工廠(chǎng)中，STT-MRAM的支持正在加速發(fā)展，GlobalFoundries，英特爾，三星，臺積電和聯(lián)電都已公開(kāi)宣布為28nm / 22nm技術(shù)的SoC設計人員提供產(chǎn)品。 系統設計師正在將STT-MRAM技術(shù)用于低功耗MCU設計（例如IoT穿戴式設備），這些設計可以從較小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常會(huì )為這些早期采用者取代嵌入式閃存。對于自動(dòng)駕駛雷達SoC，STT-MRAM的數據保留和密度是顯著(zhù)的優(yōu)勢。在不久的將來(lái)，STT-MRAM將用于最終應用（例如超大規模計算，內存計算，人工智能和機器學(xué)習）中替代SRAM。 Everspin Technologies，Inc是設計制造和商業(yè)銷(xiāo)售MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導者，其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數據中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。everspin代理宇芯電子可提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應用解決方案等產(chǎn)品一體系服務(wù)。 Everspin STT-MRAM
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