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Cypress半導體公司生產(chǎn)高性能SRAM產(chǎn)品，用于數據傳輸、遠程通訊、PC和軍用系統。異步快速存儲器芯片簡(jiǎn)稱(chēng)為：AsyncSRAM，速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V，可以滿(mǎn)足大部分應用的電壓設計。Cypress代理宇芯電子本篇文章將介紹具有高可靠性的cypress異步SRAM產(chǎn)品。 憑借可滿(mǎn)足各種高可靠性工業(yè)，通信，數據處理，醫療，消費和軍事應用的性能，快速和微功耗，SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無(wú)需投資PCB重新設計就可以提高系統可靠性。 具有ECC框圖的快速SRAM 高可靠性：軟錯誤率<0.1FIT/Mbit ERR引腳指示單位錯誤 密度選項：4Mbit，8Mbit，16Mbit 快速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：10ns（FAST） 超低待機電流：8.7μA（4MbitMoBL®） 總線(xiàn)寬度配置：x8，x16和x32 寬工作電壓范圍：1.8-5.0V 工業(yè)和汽車(chē)溫度等級 PowerSnooze™ 具有PowerSnooze框圖的快速SRAM 賽普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商，該器件系列將快速異步SRAM的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間與獨特的超低功耗睡眠模式（Power Snooze™）相結合。具有Power Snooze的快速SRAM消除了異步SRAM應用中性能與功耗之間的折衷。在這個(gè)新的設備系列中，通過(guò)提供一種稱(chēng)為Power Snooze的新型超低功耗睡眠模式，可以實(shí)現現有產(chǎn)品系列的最佳功能。Power Snooze是標準異步SRAM操作模式（活動(dòng)，待機和數據保留）的附加操作模式。深度睡眠引腳（DS＃）使器件可以在高性能活動(dòng)模式和超低功耗Power Snooze模式之間切換。在4Mbit器件上的深度睡眠電流低至15μA時(shí)， 異步SRAM技術(shù)增強 糾錯碼（ECC） 賽普拉斯最新一代的異步SRAM器件使用（38,32）漢明碼ECC進(jìn)行單位錯誤檢測和糾正。賽普拉斯超可靠異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線(xiàn)執行所有與ECC相關(guān)的功能，而無(wú)需用戶(hù)干預。 多位交織 高能量的地外輻射會(huì )翻轉多個(gè)相鄰位，從而導致多位錯誤。糾錯碼的單比特錯誤檢測和糾正功能通過(guò)比特交織方案進(jìn)行了補充，以防止出現多比特錯誤。 這些功能加在一起，可以顯著(zhù)改善軟錯誤率（SER）性能，從而導致業(yè)界領(lǐng)先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。 |
| 憑借可滿(mǎn)足各種高可靠性工業(yè)，通信，數據處理，醫療，消費和軍事應用的性能，快速和微功耗，SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無(wú)需投資PCB重新設計就可以提高系統可靠性。 |
