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XRAM是一種新的內存架構，旨在以具有競爭力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新架構來(lái)顯著(zhù)提高內存密度，性能并簡(jiǎn)化用戶(hù)界面。 XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。星憶存儲代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。 特征 •異步XRAM內存 •高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間 •tAA=10/12納秒 •低有功功率 •ICC=80 mA時(shí)為55 mA •低CMOS待機電流 •ISB2=20 mA（典型值） •工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V •取消選擇時(shí)自動(dòng)掉電 •TTL兼容的輸入和輸出 •提供44引腳TSOP II，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝 44引腳TSOP II引腳排列 48引腳TSOP I引腳排列 要寫(xiě)入設備，請將芯片使能（CE）和寫(xiě)使能（WE）輸入設為低電平。如果字節低使能（BLE）為低，則來(lái)自I / O引腳（DQ0至DQ7）的數據被寫(xiě)入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節高使能（BHE）為低電平，則來(lái)自I / O引腳（DQ8至DQ15）的數據將寫(xiě)入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設為低電平，同時(shí)將寫(xiě)入使能（WE）設為高電平。如果字節低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數據將出現在DQ0至DQ7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來(lái)自存儲器的數據出現在DQ8到DQ15上。 取消選擇器件（CE），禁用輸出（OE HIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLE HIGH）或以下操作時(shí)，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗狀態(tài)寫(xiě)操作（CE和WE LOW）。突發(fā)模式引腳（MODE）定義突發(fā)序列的順序。當置為高電平時(shí)，將選擇交錯的突發(fā)序列。當拉低時(shí)，選擇線(xiàn)性突發(fā)序列。 國產(chǎn)SRAM XM8A系列型號表 
XM8A51216V33(8M).pdf
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