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隨著(zhù)微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導體存儲器的發(fā)展中，SRAM由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。 隨機存儲器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對它進(jìn)行讀寫(xiě)操作，但當電源斷開(kāi)時(shí)，存儲信息便會(huì )消失。SRAM的數據存儲方式是依靠一對反相器以閉環(huán)形式連接的存儲電路，它的代碼的讀出是非破壞性的，并不需要相應的刷新電路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶體管來(lái)存儲一位的信息（采用六管單元或四管兩電阻單元儲存一位數據），因而其位密度比其它類(lèi)型的低，造價(jià)也高。靜態(tài)存儲器多用于二級高速緩存。 介紹一款偉凌創(chuàng )芯（EMI）1Mbit國產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，該產(chǎn)品采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片級封裝，電源電壓為4.5V~5.5V，以實(shí)現系統的用戶(hù)靈活性設計。還支持低數據保留電壓，用于以低數據保留電流進(jìn)行電池備份操作。 特征 ●工藝技術(shù)：90nm Full CMOS ●組織：128KX8bit ●電源電壓：4.5V~5.5V ●三態(tài)輸出，TTL兼容 ●標準32SOP ●工業(yè)操作溫度 關(guān)于偉凌創(chuàng )芯（EMI） 安徽偉凌創(chuàng )芯微電子有限責任公司是一家以市場(chǎng)為導向的無(wú)晶圓半導體公司。專(zhuān)注SRAM存儲、顯示驅動(dòng)，接口轉換芯片設計、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。公司擁有國際知名設 計專(zhuān)家及工作經(jīng)驗豐富工程師研發(fā)團隊，與國內知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。深挖客戶(hù)應用，依托強大的研發(fā)實(shí)力，融合世界前沿的技術(shù)理念快速響應客戶(hù)的變化需求，為行業(yè)客戶(hù)提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續穩定的自主知識產(chǎn)權的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò )可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語(yǔ)音、應用展現、特種通信和智能建筑等。 |
