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物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設備還未出世前，Serial SRAM并不能吸引主流到SRAM廠(chǎng)商的關(guān)注。隨著(zhù)串行SRAM的商機不斷增多，傳統的SRAM廠(chǎng)商進(jìn)軍串行SRAM領(lǐng)域的逐漸增多。容量和帶寬將是兩大推動(dòng)力。 大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片帶來(lái)了無(wú)限的可能性。它最終有可能成為眾多電路板上當代嵌入式SRAM和并行SRAM的全財產(chǎn)繼承者。 國產(chǎn)SRAM廠(chǎng)商安徽偉凌創(chuàng )芯微電子有限責任公司是一家以市場(chǎng)為導向的無(wú)晶圓半導體公司。專(zhuān)注SRAM存儲芯片、顯示驅動(dòng)，接口轉換芯片設計、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。擁有國際知名設計專(zhuān)家及工作經(jīng)驗豐富工程師研發(fā)團隊，與國內知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。為行業(yè)客戶(hù)提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續穩定的自主知識產(chǎn)權的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò )可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語(yǔ)音、應用展現、特種通信和智能建筑等。 EMI串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪(fǎng)問(wèn)的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。采用單芯片選擇（/ CS）輸入進(jìn)行操作，并通過(guò)與SPI兼容的簡(jiǎn)單串行接口進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)�？稍�-40℃至+ 85℃（工業(yè)級）的溫度范圍內工作。 并口SRAM芯片可作為強大微處理器的主緩存使用， 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數據保留功能，器件采44TSOP2引腳封裝，供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V，屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。 其作為SRAM最大的特點(diǎn)就是在主機斷電后，仍能通過(guò)由電池供電，繼續保存已經(jīng)存儲在芯片中的數據，并且其數據保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低，而所需的電流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的優(yōu)點(diǎn)在于不需要刷新電路就能保存內部存儲的數據，而且更為快速、低功耗。讀寫(xiě)延時(shí)在45/55ns左右，可謂是響應極其迅速的一款產(chǎn)品，適合用在需高速數據傳輸的設備當中。 EMI偉凌創(chuàng )芯SRAM芯片采用先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬為8/16位異步低功耗SRAM芯片，支持寬電壓范圍2.3V〜5.5V，同時(shí)支持商業(yè)及工業(yè)溫度范圍，封裝采用標準44TSOP2，48BGA，其RAM產(chǎn)品具備高性能，高可靠性，高存儲密度等特性，廣泛應用于辦公自動(dòng)化，人工智能，工控設備，POS設備，通訊通信行業(yè)等。 |
| EMI偉凌創(chuàng )芯SRAM芯片采用先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬為8/16位異步低功耗SRAM芯片，支持寬電壓范圍2.3V〜5.5V，同時(shí)支持商業(yè)及工業(yè)溫度范圍，封裝采用標準44TSOP2，48BGA，其RAM產(chǎn)品具備高性能，高可靠性，高存儲密度等特性，廣泛應用于辦公自動(dòng)化，人工智能，工控設備，POS設備，通訊通信行業(yè)等。 |
