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PSRAM是一種存儲技術(shù)，它通過(guò)DRAM單元來(lái)實(shí)現高密度存儲并降低每存儲位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實(shí)現高效的系統設計。COSMORAM協(xié)議包括關(guān)于猝發(fā)模式PSRAM用戶(hù)接口的通用規范以及封裝PSRAM的堆迭式多芯片封裝(MCP)。猝發(fā)模式功能增強了PSRAM操作性能,使其成為昂貴的異步低功耗﹑低電壓SRAM的理想替代品。目前SRAM在手機及PDA等其它移動(dòng)設備中應用廣泛。 PSRAM與傳統的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當,但卻有著(zhù)標準異步SRAM無(wú)法比擬的絕對成本優(yōu)勢。此外,PSRAM還可提供極高的存儲密度,如32Mbit和64Mbit，可滿(mǎn)足手機廠(chǎng)商手機擴展功能的需要。 由于目睹PSRAM非常適于手機應用，其它公司也聯(lián)合起來(lái)共同發(fā)展這一技術(shù)共同開(kāi)發(fā)CellularRAM存儲器規范.CellularRAM是一種新的多代(multi-generation)低功耗PSRAM技術(shù),專(zhuān)用于無(wú)線(xiàn)手機。 除了從增長(cháng)市場(chǎng)獲利外，這些公司積極開(kāi)發(fā)PSRAM技術(shù)的另一原因是為了防止手機廠(chǎng)商采用其它存儲器技術(shù)來(lái)取代SRAM，如低延時(shí)的DRAM和快速循環(huán)隨機存儲器(FCRAM)。 |
| PSRAM是一種存儲技術(shù)，它通過(guò)DRAM單元來(lái)實(shí)現高密度存儲并降低每存儲位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實(shí)現高效的系統設計。COSMORAM協(xié)議包括關(guān)于猝發(fā)模式PSRAM用戶(hù)接口的通用規范以及封裝PSRAM的堆迭式多芯片封裝(MCP)。 |
