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SRAM為數據訪(fǎng)問(wèn)和存儲提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲器比較 NVSRAM中的電池對于數據保存來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。電池的不良接觸會(huì )極大地影響電池壽命。其他因素，如震動(dòng)、濕度以及內置的電池切換電路都會(huì )縮短電池的使用壽命，同時(shí)也會(huì )影響系統的整體可靠性。這些問(wèn)題帶來(lái)的最直接的后果是∶終端客戶(hù)更換電池的時(shí)間間隔更短了，例如每年就需要更換一次，而不是5~10年一次。 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數據，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數據存儲以及幾乎不需要現場(chǎng)維護的場(chǎng)合。 |
