如何解決MRAM壽命問(wèn)題

宇芯電子

MRAM是一種非易失性磁性隨機存儲器。它擁有SRAM存儲芯片的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)DRAM的高集成度，并可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。MRAM工作的基本原理與硬盤(pán)驅動(dòng)器類(lèi)似，與在硬盤(pán)上存儲數據一樣，數據以磁性的方商為依據，存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性，直到被外界的磁場(chǎng)影響，才會(huì )改變這個(gè)磁性數據。因為運用磁性薦儲數據，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售Everspin MRAM等存儲芯片供應商介紹如何解決MRAM壽命問(wèn)題。

在高密度MRAM模塊中會(huì )遇到磁介質(zhì)的不規則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導致讀寫(xiě)錯誤。這也就是說(shuō)，MRAM的壽命和穩定性會(huì )隨著(zhù)MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。為此VERTICAL RING GMRCELLS技術(shù)（垂直環(huán)繞巨磁阻單元）臨危授命，很明顯VRGC讓磁層有了軟硬之分。大家可不要小看這一簡(jiǎn)單的變化，這樣垂直排列的巨磁阻會(huì )將不規則漩渦基本消除，很有效地解決了MRAM的老化問(wèn)題。此外為了加強MRAM的穩定性，避免讀寫(xiě)錯誤，VRGC技術(shù)在每一基本單元額外加入了一對平行字符線(xiàn)，這有點(diǎn)類(lèi)似目前普遍應用于服務(wù)器內存的校驗功能。

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MRAM是一種非易失性磁性隨機存儲器。它擁有SRAM存儲芯片的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)DRAM的高集成度，并可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。

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MRAM工作的基本原理與硬盤(pán)驅動(dòng)器類(lèi)似，與在硬盤(pán)上存儲數據一樣，數據以磁性的方商為依據，存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性，直到被外界的磁場(chǎng)影響，才會(huì )改變這個(gè)磁性數據。因為運用磁性薦儲數據，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售Everspin MRAM等存儲芯片供應商介紹如何解決MRAM壽命問(wèn)題。