基于SD卡的INAND的燒錄座

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eMMC夾具說(shuō)明書(shū)20110324.pdf (661.44 KB)

2011-5-3 10:14 上傳

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EMMC燒錄座的使用說(shuō)明書(shū)
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深圳凱智通微電子技術(shù)有限公司全新推出EMMC燒錄座，采用進(jìn)口雙頭探針結構，使用壽命是10萬(wàn)次，通過(guò)更換限位框可實(shí)現各種品牌各種尺寸的EMMC芯片（內嵌式存儲記憶芯片)支持在線(xiàn)燒錄和燒錄器燒錄，此款EMMC芯片使用于平板電腦，手機，SSD，U盤(pán)等產(chǎn)品上。有客戶(hù)會(huì )把這款EMMC芯片稱(chēng)之為MOVI NAND和INAND。
A、可直接插SD卡讀卡器連接電腦，支持熱拔插；
B、同時(shí)兼容：東芝（TOSHIBA）、三星（SAMSUNG）、海力士（Hynix）、英特爾（Intel）、Sandisk等所有同樣封裝的moviNAND或iNAND等閃存記體；
C、兼容芯片型號有：THGBM1G6D4EBA14、KLM2G1DEDD-A101、SDIN4C2-4G等；并兼容不同容量1G/2G/4G/8G......
D、導電體采用進(jìn)口POGO PIN，性能穩定、測試座測試壽命可達10 萬(wàn)次以上，是YAMAICHI 和OKINS 同類(lèi)的彈片座子的壽命的5倍以上；并探針可更換，維修方便，成本低；  
E、采用翻蓋式結構，操作方便，效率高；不同大小IC只要換限位框即可實(shí)現不同大小IC的兼容(16x18x0.95、16x18x0.85、16x12x0.８5)；
F、功能一：對FLASH進(jìn)行測試，判斷IC的好壞，達到篩選IC的目的；
G、功能二：可通過(guò)專(zhuān)用量產(chǎn)工具對FLASH進(jìn)行低級格式化，是SD卡、U盤(pán)、SSD、PDA、手機、平板電腦等移動(dòng)終端產(chǎn)品廠(chǎng)商的好幫手；
H、如果MMC controller損壞，而IC內部的Flash部分未損壞，可用“基于U盤(pán)FLASH夾具”(KZT的另一款產(chǎn)品)測試FLASH的好壞，實(shí)現變廢為寶，既環(huán)保又降低了成本；

技術(shù)支持
對于eMMC夾具，我們提供了全方位的技術(shù)服務(wù)，您有任何問(wèn)題請及時(shí)與我們取得聯(lián)系,我們以最快的速度給予技術(shù)支援。
針對eMMC閃存記憶體，我們推出了另外兩種增值服務(wù)：
A、 為了降低成本，我們推出外形跟說(shuō)明書(shū)的一樣，但夾具只能測試有錫球的芯片，壽命在2萬(wàn)次以上，價(jià)格￥550.00/套！限位框另購！
B、 eMMC閃存記憶體再利用：比如說(shuō)eMMC IC主控損壞，通過(guò)我們公司的＂基于Ｕ盤(pán)測試夾具＂測試后可以將閃存部分沒(méi)有損壞的eMMC　IC用作Ｕ盤(pán)FLASH；
C、我們最近推出一拖四、一拖八NAND Flash燒錄器，可以實(shí)現eMMC閃存記憶體的燒錄；為客戶(hù)提供了一種快速燒錄的新選擇；


適用芯片示例:
1、THGBM1G6D4EBA14（東芝,TOSHIBA，16x18x0.95mm, pitch=0.5mm）  
２、SDIN4C2-4G(新帝,SanDisk, 16x12x0.85mm, pitch=0.5mm)

相關(guān)術(shù)語(yǔ)：
1、MoviNAND：
MoviNAND是三星公司開(kāi)發(fā)的一款符合eMMC標準的內嵌式存儲器（MoviNAND = High-density MLC NAND Flash & MMC controller）；是一種高容量NAND快閃記憶體解決方案；這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝，適用于高端手機和其他移動(dòng)消費電子設備。MoviNAND已被世界半導體標準機構（JEDEC）和多媒體卡協(xié)會(huì )（MMCA）列入產(chǎn)品標準方案（eMMC）；

2、eMMC:
eMMC為MMC協(xié)會(huì )所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產(chǎn)品為主；eMMC結構由一個(gè)嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設備及主控制器——所有在一個(gè)小型的BGA封裝。接口速度高達每秒52MB，eMMC具有快速、可升級的性能。同時(shí)其接口電壓可以是1.8v或者是3.3v。eMMC內嵌式存儲器，三星公司叫“MoviNAND”，而Sandisk的才叫iNAND  但原理都是一樣的都是采用MMC接口，都是按eMMC的標準的，只是每個(gè)廠(chǎng)家的叫法不一樣；

3、MLC：
NAND閃存可分為三大架構，分別是單層式儲存（Single Level Cell），即SLC；多層式儲存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存儲（Multi Bit Cell），即MBC。MLC實(shí)現了一個(gè)Cell存放多個(gè)bit，是英特爾（INTEL）在1997年9月最先研發(fā)成功的，現在常見(jiàn)的MLC架構閃存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構芯片的2倍，目前三星、東芝、海力士（Hynix）、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩（Renesas）都是此技術(shù)的使用者，其發(fā)展速度遠快于SLC架構。
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