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隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。 東芝將在2013年推出3DNANDFlash。此新技術(shù)將紀錄單元發(fā)展從平面改為3D垂直堆積，透過(guò)疊合多層紀錄單元的方式，在運用目前納米技術(shù)的情況下做出大容量存儲器，且因可利用現有半導體制造設備，而節省不少成本。在眾多3D存儲器技術(shù)中，東芝表明將利用可形成多層紀錄單元的BiCS(BitCostScalable)。 在NANDFlash市場(chǎng)中，三星市占率一直處于領(lǐng)先地位，東芝則依靠其微縮技術(shù)緊追在后。但是過(guò)于微縮帶來(lái)的后果將是電流容易外漏，使得業(yè)界一般認為，2015年微縮技術(shù)的發(fā)展將達到極限。 目前東芝正同時(shí)進(jìn)行微縮技術(shù)及3DNANDFlash開(kāi)發(fā)，并對微縮技術(shù)仍進(jìn)行大規模投資。對此東芝表示，由目前的19納米到15納米間的制程微縮技術(shù)仍然可行，但10納米上下的制程將成為難關(guān)。納米制程將來(lái)的不確定性，將可能使東芝提早轉向3DNANDFlash。 另一方面，由爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)共同研發(fā)的次世代存儲器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)也即將上市。ReRAM擁有紀錄單元構造簡(jiǎn)單，耗電量低的特性，理論上資料寫(xiě)入速度可較NANDFlash快上數千倍，未來(lái)可能于2013年推出，并成為NANDFlash的后繼者。此外，美國美光科技(Micron)也已著(zhù)手開(kāi)發(fā)ReRAM，最快將在2013~2014年間開(kāi)始量產(chǎn)。 韓國半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix)在東芝的協(xié)助下，加緊開(kāi)發(fā)寫(xiě)入速度快速且耗電量低的磁阻式隨機存取存儲器(MagneticRAM；MRAM)，計劃趕在2014年達到量產(chǎn)目標。 而實(shí)力雄厚的三星則利用其豐富的資源，同時(shí)開(kāi)發(fā)3DNANDFlash、MRAM、ReRAM等多種技術(shù)，并將于2013年推出第1階段以東芝BiCS技術(shù)為基礎的3DNANDFlash產(chǎn)品。為鞏固全球市占率龍頭寶座，三星在研發(fā)上可說(shuō)是下足功夫，以多方面同時(shí)推進(jìn)的戰術(shù)兼顧各種技術(shù)。 對于存儲器產(chǎn)業(yè)的未來(lái)，東芝高層認為，群雄割據的時(shí)代將再度來(lái)臨。盡管目前仍無(wú)法確定制程微縮的極限，也無(wú)法得知究竟何種存儲器技術(shù)將勝出，但各家廠(chǎng)商目前所下的決策將確實(shí)影響10年后的存儲器產(chǎn)業(yè)。 |
