IGBT實(shí)用的驅動(dòng)電路,以及一些設計細節,適合工程師、采購、維修人員

發(fā)布時(shí)間:2011-8-22 08:54    發(fā)布者:國安電力
關(guān)鍵詞: IGBT , 電力電子 , 電子器件 , 國安電力
(秦皇島國安電力電子技術(shù)有限公司)
1 IGBT的基本驅動(dòng)電路

概要:筆者從事電力電子研發(fā)領(lǐng)域,經(jīng)常使用IGBT,積累了一些設計經(jīng)驗,在此與大家分享。大部分內容不追求理論深度,而主要是幫助大家提高感性認識,為使用IGBT提供一些參考。

1.IGBT的模型
IGBT的模型在教科書(shū)上能找到,其柵極G,相當于一個(gè)數納法(nF)的小電容(暫時(shí)這樣認為),這與MOS管類(lèi)似;其集電極C和發(fā)射極E又類(lèi)似于一只三極管C、E極。因此,它結合了MOS管和三極管的特點(diǎn):
1)柵極的絕緣電阻無(wú)窮大,只要向柵極充入一定的正電荷,使得柵極電壓大于導通電壓,管子就會(huì )導通,并且導通程度深,線(xiàn)性范圍很窄。這一點(diǎn)類(lèi)似于MOS管。
2)由于柵極的絕緣電阻無(wú)窮大,因此電荷能夠一直保存,即開(kāi)通后可以一直開(kāi)通。而且當柵極開(kāi)路時(shí),也常會(huì )處于開(kāi)通狀態(tài)。正因為這個(gè)特性,驅動(dòng)IGBT的電路不需要提供很大的持續電流。但這容易引起誤導通,為了防止誤導通,柵極G和發(fā)射極E之間必須跨接一只電阻。不少第一次接觸MOS管和IGBT的朋友就是因為沒(méi)有跨接此電阻而燒了管子?缃与娮枰话銥10k/0.25W。
3)柵極電容的耐壓是有一點(diǎn)限度的,一般是±20V,當超過(guò)此限度,可能會(huì )燒壞。因此,柵極要加一對穩壓二極管,用于吸收過(guò)高的電壓。穩壓二極管一般頭對頭串聯(lián),每只是18V/1W,限制的電壓范圍是±18.7V左右。
4)輸出極CE特性類(lèi)似于三極管,因此具有一定的導通壓降,而不是像MOS管那樣用導通電阻來(lái)衡量。導通壓降與導通飽和度有關(guān),導通飽和度受到柵極電壓的影響,因此柵極電壓不應太低,雖然IGBT7V就完全能導通,但標準的柵極驅動(dòng)電壓是15V。
5)為了保證柵極驅動(dòng)不誤動(dòng)作,一般關(guān)閉時(shí)要讓柵極帶有一定的負電壓。通常對于小功率IGBT,負電壓應在-8V左右。因此,通常IGBT的標準驅動(dòng)電壓為-8V、+15V。實(shí)際使用時(shí),如果采用光耦,例如A3120,其正壓降約為2.5V,負壓降幾乎為零,因此,為了達到標準驅動(dòng)電壓,光耦前端的供電電壓應為-8V、+17.5V。
6IGBT的柵極電容是非線(xiàn)性的,在導通電壓和關(guān)斷電壓附近,其柵極電容相當于突然增大數倍,需要充入或者吸出較多電荷,因此,驅動(dòng)電路的作用主要體現在導通和關(guān)斷的轉折點(diǎn)上,此時(shí)要提供較多電荷,具有較大的驅動(dòng)電流,故驅動(dòng)電路的主要電流是瞬時(shí)電流,頻率很高,這就要求驅動(dòng)電路的供電具有極小的高頻內阻。一般要并聯(lián)較大容量的獨石電容來(lái)提供這些電流。
2. IGBT的基本驅動(dòng)電路
1)供電采用隔離變壓器,最好采用開(kāi)關(guān)穩壓電源,上下橋嚴格隔離,安全間距1mm/100V,即對于380V系統要用4mm安全間距。
2)供電電壓:+17.5V,-8V,GND。其中GNDIGBTE極。+17.5V-8V接光耦的8、5腳。
3)瞬時(shí)電流提供:供電電源上并接1uF/50V獨石電容若干個(gè)。
4)柵極驅動(dòng)電阻Rg,采用IGBT資料的推薦值至推薦值的3倍之間。
5)柵極放電電阻,10k歐;柵極保護穩壓二極管:18V/1W,頭對頭串聯(lián)。



IGBT的基本驅動(dòng)電路
IGBT使用的基本驅動(dòng)電路就介紹到這里。關(guān)于IGBT的使用細節,我們將繼續發(fā)文敘述。感謝大家的關(guān)注!
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1)電力電子相關(guān)設計咨詢(xún);
2)電力電子器件:IGBT、隔離驅動(dòng)變壓器、驅動(dòng)光耦。長(cháng)期提供各種IGBT模塊、變頻器變壓器、驅動(dòng)光耦。具體型號有:IGBT:FP40R12KT3,FP40R12KE3,FP40R12KT4.IGBT: FP50R12KT3,FP50R12KE3,FP50R12KT4.IGBT: FP75R12KT3,FP75R12KE3,FP75R12KT4.IGBT:FF200R12KT3,FF200R12KT3.IGBT: FF300R12KT3,FF300R12KT3.IGBT: FF400R12KT3,FF400R12KT3.EUPE.歐派克.英飛凌.Infineon.富士.FUJI.三菱.MITSUBISHI.IGBT.IPM模塊。全線(xiàn)IGBT模塊,7單元IGBT模塊、IPM模塊。高壓MOS2SK2225.2SK1317.3N150.變頻器專(zhuān)用開(kāi)關(guān)電源變壓器、三相UPS開(kāi)關(guān)電源變壓器、開(kāi)關(guān)電源電壓控制模塊板、驅動(dòng)光耦A3120,316J,PC929,PC925等、電力電子相關(guān)的軟件模塊、設計方案。您只需一個(gè)電話(huà),就可以立即解決設計、選型、維修、備件、采購等各種問(wèn)題。歡迎來(lái)電:0335-8508398.QQ:1103466690.公司網(wǎng)站:www.gaelec.com 。
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btma 發(fā)表于 2011-8-23 02:41:34
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