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1.1接口差別 NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過(guò)地址總線(xiàn)對NOR Flash進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)，可以很容易地存取其內部的每一個(gè)字節。 NAND Flash器件使用復雜的I/O口來(lái)串行地存取數據﹐只能通過(guò)I/O接口發(fā)送命令和地址，對NAND Flash內部數據進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數據信息。NAND Flash讀/寫(xiě)操作采用512或2048字節的頁(yè)。 NOR Flash是并行訪(fǎng)問(wèn)，Nand Flash是串行訪(fǎng)問(wèn)，所以相對來(lái)說(shuō),前者的速度更快些。 1.2容量和成本 NOR Flash的成本相對高﹐容量相對小，常見(jiàn)的有128KB、256KB、1MB、2MB等;優(yōu)點(diǎn)是讀寫(xiě)數據時(shí),不容易出錯。所以在應用領(lǐng)域方面,NOR Flash比較適合應用于存儲少量的代碼。 NAND Flash的單元尺寸幾乎是NOR Flash器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單﹐也就相應是的數據。。容量比較大,由于價(jià)格便宜,更適合存儲大量的數據。 1.3可靠性和耐用性 采用內存Flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)越定話(huà)性。對于需要擴展MTBF的系統來(lái)說(shuō),Flash定非常合垃的存儲方案�？梢詮膲勖�(耐用性)、位交換和環(huán)塊處理六個(gè)方面來(lái)比較NOR Flash和NANDFIasnu的太擦寫(xiě)次命(耐用性)在NAND Flash閃行中母不次粘錄十萬(wàn)次。數是一百萬(wàn)次，而NOkFlash.t的你國優(yōu)勢,典型的NAND Flash除了具有1o:1的塊擦除周期優(yōu)努·典型)NAND Flash塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個(gè)NAND Flash塊在給定的時(shí)問(wèn)內的刪除次數要少一些。 1.4位反轉 NAND Flash和NOR Flash都可能發(fā)生比特位反轉(但NAND Flash反轉的幾率遠大丁NURrIasn會(huì )有壞塊兩者都必須進(jìn)行ECC操作;NAND Flash云有可能(出廠(chǎng)時(shí)廠(chǎng)家會(huì )對壞塊做標記),在使用過(guò)程中也還有j能會(huì )出現新的壞塊,因此NAND Flash驅動(dòng)必須對壞塊進(jìn)行管理。 位反轉對于用NAND Flash存儲多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當然如果用本地存儲設備來(lái)存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統以確�？煽啃�。壞塊處理NAND Flash器件中的壞塊是隨機分布的。NAND Flash器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描來(lái)發(fā)現壞塊﹐并將壞塊標記為不可用。 1.5易于使用 NAND Flash不能在片內運行程序,而NOR Flash可以。但目前很多CPU都可以在上電時(shí)以硬件的方式先將NAND Flash的第一個(gè)Block中的內容(一般是程序代碼﹐也許不足一個(gè)Block,如2KB大小)自動(dòng)拷貝到RAM中然后再運行。因此只要CPU支持,NAND Flash也可以當成啟動(dòng)設備。由于需要I/O接口,NAND Flash要復雜得多。各種NAND Flash器件的存取方法因廠(chǎng)家而異。在使用NAND Flash器件時(shí),必須先寫(xiě)入驅動(dòng)程序﹐才能繼續執行其他操作。 |
| NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過(guò)地址總線(xiàn)對NOR Flash進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)，可以很容易地存取其內部的每一個(gè)字節。 |
| NAND Flash器件使用復雜的I/O口來(lái)串行地存取數據﹐只能通過(guò)I/O接口發(fā)送命令和地址，對NAND Flash內部數據進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數據信息。NAND Flash讀/寫(xiě)操作采用512或2048字節的頁(yè)。 |
