STT-MRAM的應用前景

發(fā)布時(shí)間:2020-11-19 15:25    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: STT-MRAM , SRAM , PSRAM
STT-MRAM是一種顛覆性技術(shù),可以在從消費電子和個(gè)人計算機到汽車(chē)和醫療,軍事及太空等許多領(lǐng)域,改變產(chǎn)品的性能。它還有潛力在半導體工業(yè)中創(chuàng )造新的領(lǐng)域,并使尚未設想的全新產(chǎn)品成為可能。STT-MRAM在關(guān)鍵的初始市場(chǎng)上已取代嵌入式技術(shù)(eSRAM,eFlash和DRAM),并提供65nm及更高的新功能。在汽車(chē)應用中比eFlash具有更高的速度和更低的功耗,并且比eSRAM密度更高。

在便攜式和手機應用中,它可以消除多芯片封裝(MCP),提供統一的內存子系統,并降低系統功耗以延長(cháng)電池壽命。在個(gè)人計算機中可以代替SRAM用于高速緩存,閃存用于非易失性緩存以及PSRAM和DRAM用于高速程序執行。

如今STT-MRAM可以在許多嵌入式應用中替代NOR閃存和SRAM。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼,并將數據傳輸到SRAM充當緩沖區或高速緩存。例如低端手機同時(shí)使用NOR和SRAM,可以很容易地用單個(gè)STT-MRAM芯片替換它們。

將STT-MRAM與最新的通用存儲候選進(jìn)行比較,STT-MRAM的讀寫(xiě)時(shí)間分別為2到20納秒(ns),而相變RAM(PRAM)的讀取時(shí)間為20到50ns,寫(xiě)入的時(shí)間為30ns。此外STT-MRAM的耐久性在>1015時(shí)不受限制,而PRAM小于1012。

盡管這不是一項新技術(shù),但PRAM最近受到了相當大的關(guān)注。許多領(lǐng)先的半導體公司都在PRAM上進(jìn)行投資并開(kāi)發(fā)自己的IP。盡管它是令人欽佩的技術(shù),但與STT-MRAM相比,PRAM具有有限的耐用性和較慢的速度。

硫族化物材料通常為Ge2Sb2Te5,也稱(chēng)為GST,用于PRAM中進(jìn)行數據存儲。PRAM通過(guò)施加熱量來(lái)利用硫屬元素化物GST的結晶態(tài)和非晶態(tài)之間的可逆相變,其中結晶GST具有低電阻率,非晶GST具有高電阻率。數據“0”對應于結晶態(tài),而數據“1”對應于非晶態(tài)。

狀態(tài)之間的切換時(shí)間大于20ns,這意味著(zhù)PRAM無(wú)法取代SRAM,因為它的運行速度相當慢。重置位狀態(tài)所需的時(shí)間必須較長(cháng)。如果不是則相變材料冷卻太快而無(wú)法達到結晶狀態(tài)。由于相的不斷變化和施加到其上的熱量,會(huì )導致材料劣化,因此耐久性有限。

RRAM或電阻式存儲器依賴(lài)于電場(chǎng)引起的電阻變化。與PRAM相比,它處于更早期的發(fā)展狀態(tài),但是在可靠性和耐用性方面也遭受類(lèi)似的問(wèn)題。此外許多建議的RRAM材料中涉及的切換機制還沒(méi)有得到很好的理解。

FRAM或鐵電RAM使用鐵電材料存儲極化。它遭受有限的讀取耐久性和破壞性讀取過(guò)程。同樣它的耐用性約為1012個(gè)周期,雖然適用于閃存更換,但不能用作通用內存。

Everspin Technologies,Inc是設計制造和商業(yè)銷(xiāo)售離散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋傳遞扭矩MRAM(STT-MRAM)的翹楚,其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM廣泛應用在數據中心,云存儲和能源及工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)中。Everspin代理商英尚微電子支持提供產(chǎn)品應用解決方案等技術(shù)支持。  

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英尚微電子 發(fā)表于 2020-11-19 15:26:01
STT-MRAM在關(guān)鍵的初始市場(chǎng)上已取代嵌入式技術(shù)(eSRAM,eFlash和DRAM),并提供65nm及更高的新功能。在汽車(chē)應用中比eFlash具有更高的速度和更低的功耗,并且比eSRAM密度更高。
英尚微電子 發(fā)表于 2020-11-19 15:27:19
如今STT-MRAM可以在許多嵌入式應用中替代NOR閃存和SRAM。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼,并將數據傳輸到SRAM充當緩沖區或高速緩存。例如低端手機同時(shí)使用NOR和SRAM,可以很容易地用單個(gè)STT-MRAM芯片替換它們。
英尚微電子 發(fā)表于 2020-11-19 15:28:38
Everspin Technologies,Inc是設計制造和商業(yè)銷(xiāo)售離散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋傳遞扭矩MRAM(STT-MRAM)的翹楚,其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM廣泛應用在數據中心,云存儲和能源及工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)中。Everspin代理商英尚微電子支持提供產(chǎn)品應用解決方案等技術(shù)支持。  
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