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NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿(mǎn)足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪(fǎng)問(wèn)：系統性能與所使用的高速緩存的訪(fǎng)問(wèn)速度直接相關(guān)。如果管理不當，則連接到快速控制器的慢速緩存會(huì )大大降低系統性能。因此高速緩存管理成為這種系統設計的重要方面。 NV-SRAM是業(yè)界最快的非易失性RAM，對于所有讀取和寫(xiě)入操作，提供高達20 ns的訪(fǎng)問(wèn)速度。使用NV-SRAM代替慢速SRAM可以最大程度地減少緩存管理工作。 可靠性：NV-SRAM中使用的SONOS技術(shù)提供了無(wú)與倫比的可靠性。在目前的非易失性RAM技術(shù)中，工業(yè)溫度范圍在85oC下可保存20年的數據是最高的之一。這使NV-SRAM成為最可靠的非易失性技術(shù)，并且是游戲應用程序的理想選擇。 無(wú)限的耐用性：NV-SRAM允許將關(guān)鍵數據無(wú)限次寫(xiě)入其SRAM單元中，而不會(huì )耗盡耐久力或不適當的磨損平衡。當使用有限的耐用性計數非易失性存儲器（例如EEPROM和閃存）時(shí)，這消除了在軟件中實(shí)現損耗平衡或計算耐用性周期所需的所有工作。 綠色（無(wú)電池）：與電池供電的SRAM不同，NV-SRAM是不涉及電池的綠色解決方案。它僅使用一個(gè)小電容器將SRAM內容存儲到非易失性元件，從而無(wú)需任何額外的備用電源即可保留數據。 實(shí)時(shí)時(shí)鐘：許多游戲系統都希望在寫(xiě)入安全位置之前對關(guān)鍵數據進(jìn)行時(shí)間戳記。這通常需要額外的RTC芯片和相關(guān)組件。 NV-SRAM帶有集成RTC功能的選項。這不僅減少了BOM成本和電路板空間，而且還釋放了一些與外部RTC器件接口所需的專(zhuān)用引腳資源。 表1.賽普拉斯的16 Mb NV-SRAM NV-SRAM除了是最快的非易失性SRAM解決方案之外，NV-SRAM還已經(jīng)證明了其可靠性超過(guò)20年。 NV-SRAM具有16兆位的密度，這在游戲應用中通常是必需的。 |
| NV-SRAM中使用的SONOS技術(shù)提供了無(wú)與倫比的可靠性。在目前的非易失性RAM技術(shù)中，工業(yè)溫度范圍在85oC下可保存20年的數據是最高的之一。這使NV-SRAM成為最可靠的非易失性技術(shù)，并且是游戲應用程序的理想選擇。 |
| NV-SRAM允許將關(guān)鍵數據無(wú)限次寫(xiě)入其SRAM單元中，而不會(huì )耗盡耐久力或不適當的磨損平衡。當使用有限的耐用性計數非易失性存儲器（例如EEPROM和閃存）時(shí)，這消除了在軟件中實(shí)現損耗平衡或計算耐用性周期所需的所有工作。 |
