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隨著(zhù)無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。 BBSRAM 數據保留時(shí)間和產(chǎn)品使用壽命 •電池電量耗盡（在商業(yè)系統中通常為4到7年）后，BBSRAM不再作為非易失性存儲器操作。 •下面兩個(gè)主要因素會(huì )降低電池使用壽命： -存儲器電路的漏電流—該因素取決于存儲器對電流的要求，它還決定了電池在室溫條件下的使用壽命。 -電解液蒸發(fā)—在溫度為70°C的條件下，蒸發(fā)速率 •便是電池與存儲器斷開(kāi)導致其使用壽命縮短的速率。 •通常在溫度為85°C的條件下，即使從未給器件充電，電池的使用壽命也不能超過(guò)兩年。 •在低溫條件下，電池維持的電流能力也會(huì )下降。 •在溫度為–40°C的條件下，大致相同的機制會(huì )使汽車(chē)電池的化學(xué)成分在低溫條件下無(wú)效，從而導致電池的供電能力降低20%。 •不受控制的斷電序列會(huì )對電池的使用壽命造成不利影響。特別是斷電時(shí)的警報導致的VCC下沖會(huì )耗盡電池電量。如果斷電器件CE不能維持高電平狀態(tài)，那么可能會(huì )發(fā)生意外的讀/寫(xiě)操作。這些周期對全電流的要求會(huì )降低電池的使用壽命。 性能 •有電池供電的器件必須要優(yōu)化待機功耗，以便最大化數據保留時(shí)間并減少訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間。 •4Mb大小的BBRAM的最快訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間為70ns到100ns。 NV-SRAM •NV-SRAM保證20年的數據保留時(shí)間和一百萬(wàn)次的存儲操作。 •NV-SRAM中的非易失性存儲器單元便是一個(gè)EEPROM單元。該單元包括在導體和硅表面間放置的氮化物絕緣體和薄氧化物絕緣體。編程電荷存儲在氮化物絕緣體內。各個(gè)導體間的電場(chǎng)會(huì )控制氮化物絕緣體內電荷的注入。 •絕緣體保持電荷的能力決定了數據的保留時(shí)間。當存儲單元被循環(huán)或溫度增高時(shí)，絕緣體會(huì )使更多電荷被泄漏。器件的保存溫度和執行存儲操作的次數決定了NV-SRAM中數據的保留時(shí)間。 •使用溫度加速因素檢測賽普拉斯所有NV-SRAM器件，從而保證這些器件在最高溫度下維持操作時(shí)符合最終指定存儲周期內的全部保留規格 性能 •某個(gè)NV-SRAM中的SRAM部分與使用工業(yè)標準6T單元中的標準SRAM完全相同。因此其性能規范同標準的SRAM相同，電流訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間為20ns到45ns。 在數據保留時(shí)間、訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間和封裝大小等方面，與BBSRAM器件相比，NV-SRAM具有明顯的優(yōu)勢。對于要求幾乎為無(wú)限次的耐久性、長(cháng)期保留數據和高速訪(fǎng)問(wèn)存儲在存儲器中的數據等問(wèn)題的系統，NV-SRAM是優(yōu)先的選擇。 |
| NV-SRAM中的非易失性存儲器單元便是一個(gè)EEPROM單元。該單元包括在導體和硅表面間放置的氮化物絕緣體和薄氧化物絕緣體。編程電荷存儲在氮化物絕緣體內。各個(gè)導體間的電場(chǎng)會(huì )控制氮化物絕緣體內電荷的注入。 |
