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來(lái)源：中國電子報 SK海力士CEO李錫熙希望，未來(lái)10年內，SK海力士能夠大規模量產(chǎn)采用10nm工藝的DRAM和600層堆疊的3D NAND。 最新消息顯示，SK海力士將投資120萬(wàn)億韓元(約合1060億美元)用于新的半導體工廠(chǎng)部署。相關(guān)人士透露，韓國已經(jīng)批準了當地芯片制造商SK海力士的建設新半導體工廠(chǎng)的項目，SK海力士的新半導體工廠(chǎng)將設在首爾以南50公里的龍仁。 產(chǎn)能爆滿(mǎn)，SK海力士順勢擴產(chǎn) 高通缺“芯”，臺積電缺水又沒(méi)光刻膠, 三星關(guān)閉美國最大晶圓廠(chǎng)，全球半導體廠(chǎng)商交貨延期開(kāi)啟“接力”模式，大眾、豐田等汽車(chē)廠(chǎng)商因芯片缺貨潮被迫停產(chǎn)……從汽車(chē)芯片到手機芯片，在全球芯片供應短缺的大背景下，近期存儲芯片同樣缺貨嚴重。 一邊是供不應求的產(chǎn)能，一邊是日益高漲的市場(chǎng)“呼聲”，即使是“加價(jià)不加量”，也極有可能拿不到DRAM芯片。為何DRAM需求如此吃緊?根據SK海力士方面預測，全球主要企業(yè)的新數據中心投資將引領(lǐng)服務(wù)器DRAM需求的增加。 此外，進(jìn)入2021年以來(lái)，5G智能手機的出貨量逐漸擺脫了去年新冠肺炎疫情的影響，一路“節節高升”。受巨大終端市場(chǎng)需求驅動(dòng)，移動(dòng)端DRAM需求亦水漲船高，造成業(yè)界供給增量有限、整體供給低于需求的局面。市場(chǎng)需求暴漲、供應嚴重吃緊，作為全球存儲器市場(chǎng)的一大巨頭，SK海力士的產(chǎn)能已經(jīng)爆滿(mǎn)，因此擴產(chǎn)可謂順勢而為、勢在必行。 此前，SK海力士產(chǎn)業(yè)投資主席李丙德曾表示,公司正積極應對芯片供應緊張的局面,在積極滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的同時(shí),將努力擴大戰略性產(chǎn)品的比重�，F在看來(lái)，耗巨資來(lái)建工廠(chǎng)似乎是“積極應對芯片供應緊張局面”的重要舉措之一。 擴產(chǎn)背后，或有更大一盤(pán)局 除了建造新廠(chǎng)來(lái)擴大產(chǎn)能、滿(mǎn)足日益增長(cháng)的市場(chǎng)需求之外，李丙德口中的SK海力士似乎更為“深謀遠慮”。記者注意到，日前李丙德有提到SK海力士將“努力擴大戰略性產(chǎn)品的比重”。簡(jiǎn)單的擴產(chǎn)動(dòng)作背后，SK海力士或將再下一盤(pán)更大的“棋局”。 李丙德的說(shuō)法與SK海力士CEO李錫熙的講話(huà)內容形成了呼應。在今日舉行的IEEE國際可靠性物理研討會(huì )(IRPS)上，李錫熙對SK海力士的核心業(yè)務(wù)——DRAM和NAND芯片進(jìn)行了細致描摹。 目前，SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND，但3D NAND有沒(méi)有可能用600層堆疊比起176層堆疊的3D NAND，600層似乎是對現有工藝和技術(shù)的極大挑戰。但是，根據李錫熙分享的有關(guān)SK海力士的業(yè)務(wù)計劃，600層堆疊的3D NAND并非完全空想。 李錫熙稱(chēng)，SK海力士已經(jīng)開(kāi)始了實(shí)現這種可能性的研發(fā)進(jìn)程。DUV光刻技術(shù)存在局限性，而通過(guò)引入和積極使用EUV光刻技術(shù)，能夠克服來(lái)自材料、結構、可靠性等方面的種種挑戰，使制程工藝輕易達到10nm以下，以此提升生產(chǎn)效率。 李錫熙希望，未來(lái)10年內，SK海力士能夠大規模量產(chǎn)采用10nm工藝的DRAM和600層堆疊的3D NAND。當然，愿望的實(shí)現從來(lái)都不是一蹴而就的。比如，為了保持單元電容，就需要改善電介質(zhì)厚度，開(kāi)發(fā)具有高介電常數的新材料，并采用新的單元結構。由于這些單元的互連需要盡可能低的電阻，SK海力士正在尋找新一代電極與絕緣材料，并且推出新的工藝。 |
