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產(chǎn)品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲器，位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可在斷電時(shí)自動(dòng)保護數據，以防止在不符合規定的電壓情況下進(jìn)行寫(xiě)操作。對于必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用，MR3A16A是理想的存儲器解決方案。 MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型小外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類(lèi)似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR3A16A在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70°C）和工業(yè)溫度（-40至+85°C）工作溫度選項。everspin代理英尚微驅動(dòng)、例程以及必要的FAE支持。 引腳封裝 MR3A16A特征 •+3.3伏電源 •35 ns的快速讀寫(xiě)周期 •兼容SRAM的時(shí)序•無(wú)限的讀寫(xiě)耐久性 •溫度下，數據始終保持非易失性超過(guò)20年 •符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝 •所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度等級 好處 •一個(gè)存儲器替代系統中的FLASH，SRAM，EEPROM和BBSRAM，以實(shí)現更簡(jiǎn)單，更有效的設計 •通過(guò)更換電池供電的SRAM來(lái)提高可靠性 關(guān)于Everspin Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無(wú)二的。擁有超過(guò)600多項有效專(zhuān)利和申請的知識產(chǎn)權產(chǎn)品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數據存儲.沒(méi)有寫(xiě)延遲，并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。 MR3A16A規格書(shū)下載 
MR3A16A.pdf
(1.21 MB)
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