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隨著(zhù)系統復雜性不斷增加，包括多個(gè)數學(xué)函數和算法的復雜代碼也隨之增加，片上存儲器內存容量可能不足。因此便攜式醫療系統通常需要額外的存儲空間，以便設計人員使用外部存儲器來(lái)增加內部存儲器的空間。 以下是一個(gè)典型的便攜式醫療刺激系統，其系統考慮因素如下： 系統每100ms捕獲并記錄128位采樣數據 系統的數據捕獲和處理時(shí)間為5ms，工作電流為7mA（不包括向存儲器寫(xiě)入數據時(shí)的電流消耗），數據記錄存儲器在數據捕獲和處理期間保持待機或低功耗模式 當捕獲日志被寫(xiě)入到存儲器時(shí)，系統和存儲器都變?yōu)楣ぷ鳡顟B(tài) 假設系統待機電流為0.5μA 當單片機內核以12兆赫茲的頻率運行時(shí)，系統有5%的時(shí)間處于工作狀態(tài) 便攜式系統采用3V、1400mAh的LR03電池 表1：比較FRAM和EEPROM的系統影響總結 表1顯示了向FRAM和EEPROM寫(xiě)入數據所需的能量�？梢钥闯鰧τ谶@種應用而言，FRAM消耗的功耗顯著(zhù)降低。極低功耗深度待機模式和休眠模式可進(jìn)一步改善功耗，從而進(jìn)一步延長(cháng)設備的電池使用壽命。 FRAM可提供： 1）近乎無(wú)限的耐久度； 2）即時(shí)非易失性； 3）低功耗。 使得系統設計人員可以將基于ram和ROM的數據和功能整合在單個(gè)存儲器中。應用通常會(huì )在可執行代碼和數據任務(wù)之間分配內存。 基于ROM的技術(shù)，包括掩模ROM、OTP-EPROM和NOR閃存，是非易失性的，面向代碼存儲應用。NAND閃存和EEPROM也可以用作非易失性數據存儲器。這些存儲器由于執行代碼和數據存儲操作時(shí)性能不佳，因此都需要一些折中方案。它們側重于降低成本，所以需要在易用性和/或性能方面進(jìn)行權衡。 基于RAM的技術(shù)（如SRAM）可以用作數據存儲器，也可以用作代碼執行的工作空間，其速度比較快，不過(guò)它的易失性使其僅僅可用于臨時(shí)存儲。 便攜式應用空間受限，要求使用盡可能少的組件來(lái)優(yōu)化性能。即使在電路板空間充足的應用中，使用多種存儲器類(lèi)型也會(huì )導致效率低下，使代碼設計復雜化，并且通常會(huì )消耗更多能量。 FRAM的效率與可靠性使之成為能同時(shí)處理代碼和數據的單一存儲器技術(shù)。作為存儲器技術(shù)，FRAM擁有支持高頻率數據記錄操作的耐久度，同時(shí)還能降低系統成本，提高系統效率，并簡(jiǎn)化設計。 富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領(lǐng)域風(fēng)生水起，在各種應用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 |
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FRAM可提供： 1）近乎無(wú)限的耐久度； 2）即時(shí)非易失性； 3）低功耗。 |
| FRAM的效率與可靠性使之成為能同時(shí)處理代碼和數據的單一存儲器技術(shù)。作為存儲器技術(shù)，FRAM擁有支持高頻率數據記錄操作的耐久度，同時(shí)還能降低系統成本，提高系統效率，并簡(jiǎn)化設計。 |
| 富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領(lǐng)域風(fēng)生水起，在各種應用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 |
