[技術(shù)文章]一文詳解高速PCB的EMC設計原則

發(fā)布時(shí)間:2021-8-25 10:09    發(fā)布者:嘉立創(chuàng )創(chuàng )創(chuàng )
關(guān)鍵詞: PCB , 設計 , 走線(xiàn) , 線(xiàn)路

本文主要介紹了高速PCBEMC設計原則,首先介紹了PCB設計的EMC基礎知識,其次闡述了PCB中EMC設計的重要性以及PCB中EMC設計相關(guān)項,最后詳細的介紹了關(guān)于高速PCB的EMC設計的47項原則,具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。


  PCB設計的EMC基礎知識



  部分電磁兼容的基礎知識,是優(yōu)秀的PCB工程師需要了解或掌握的,主要如下: 電磁兼容、電磁場(chǎng)與電磁波、高速電路設計、信號完整性、電源完整性、數字電路、模擬電路、高頻電路原理、開(kāi)關(guān)電源等。


  PCB中EMC設計的重要性



  PCB是EMC技術(shù)中最值得探討的部分。它不僅是設備工作頻率最高的部分, 同時(shí),也是電平最低、對電磁騷擾最為敏感的部分。PCB的EMC設計中,實(shí)際上已經(jīng)包含了接地設計、去耦/旁路設計、串擾屏蔽等EMC設計知識。EMC設計良好的PCB,不但可以降低流過(guò)千擾共模電流時(shí)產(chǎn)生的壓降,同時(shí)也是減小環(huán)路的重要手段, 因此,一個(gè)有著(zhù)良好去耦與旁路設計PCB的設備相當于有一個(gè)健壯的“體格”。

  PCB板是電子產(chǎn)品最基本的部件,也是絕大部分電子元器件的載體。當一個(gè)產(chǎn)品的PCB板設計完成后,可以說(shuō)其核心電路的騷擾和抗擾特性就基本已經(jīng)確定下來(lái)了,要想再提高其電磁兼容特性,就只能通過(guò)接口電路的濾波和外殼的屏蔽來(lái)“圍追堵截”了,這樣不但大大增加了產(chǎn)品的后續成本,也增加了產(chǎn)品的復雜程度,降低了產(chǎn)品的可靠性。

  可以說(shuō)一個(gè)好的PCB板可以解決大部分的電磁騷擾問(wèn)題,只要在接口電路排板時(shí)適當增加瞬態(tài)抑制器件和濾波電路就可以同時(shí)解決大部分抗擾度和騷擾問(wèn)題。

  在PCB布線(xiàn)中增強電磁兼容性不會(huì )給產(chǎn)品的最終完成帶來(lái)附加費用。如果,在PCB板設計中,產(chǎn)品設計師往往只注重提高密度,減小占用空間,制作簡(jiǎn)單,或追求美觀(guān),布局均勻,忽視了線(xiàn)路布局對電磁兼容性的影響,使大量的信號輻射到空間形成騷擾。那么這個(gè)產(chǎn)品將導致大量的EMC問(wèn)題。


  PCB中EMC設計相關(guān)項



  


  高速PCB的EMC設計原則



  原則1:PCB時(shí)鐘頻率超過(guò)5MHZ或信號上升時(shí)間小于5ns,一般需要使用多層板設計。

  原因:采用多層板設計信號回路面積能夠得到很好的控制。

  原則2:對于多層板,關(guān)鍵布線(xiàn)層(時(shí)鐘線(xiàn)、總線(xiàn)、接口信號線(xiàn)、射頻線(xiàn)、復位信號線(xiàn)、片選信號線(xiàn)以及各種控制信號線(xiàn)等所在層)應與完整地平面相鄰,優(yōu)選兩地平面之間。

  原因:關(guān)鍵信號線(xiàn)一般都是強輻射或極其敏感的信號線(xiàn),靠近地平面布線(xiàn)能夠使其信號回路面積減小,減小其輻射強度或提高抗干擾能力。

  原則3:對于單層板,關(guān)鍵信號線(xiàn)兩側應該包地處理;

  原因:關(guān)鍵信號兩側包地,一方面可以減小信號回路面積,另外防止信號線(xiàn)與其他信號線(xiàn)之間的串擾。

  原則4:對于雙層板,關(guān)鍵信號線(xiàn)的投影平面上有大面積鋪地,或者與單面板一樣包地打孔處理。

  原因:與多層板關(guān)鍵信號靠近地平面相同

  原則5:多層板中,電源平面應相對于其相鄰地平面內縮5H-20H(H為電源和地平面的距離)。

  原因:電源平面相對于其回流地平面內縮可以有效抑制邊緣輻射問(wèn)題。

  原則6:布線(xiàn)層的投影平面應該在其回流平面層區域內。

  原因:布線(xiàn)層如果不在回流平面層的投影區域內,會(huì )導致邊緣輻射問(wèn)題,并且導致信號回路面積增大,從而導致差模輻射增大。

  原則7:多層板中,單板TOP、BOTTOM層盡量無(wú)大于50MHZ的信號線(xiàn),

  原因:最好將高頻信號走在兩個(gè)平面層之間,以抑制其對空間的輻射。

  原則8:對于板級工作頻率大于50MHz的單板,若第二層與倒數第二層為布線(xiàn)層,則TOP和BOOTTOM層應鋪接地銅箔。

  原因:最好將高頻信號走在兩個(gè)平面層之間,以抑制其對空間的輻射。

  原則9:多層板中,單板主工作電源平面(使用最廣泛的電源平面)應與其地平面緊鄰。

  原因:電源平面和地平面相鄰可以有效地減小電源電路回路面積。

  原則10:在單層板中,電源走線(xiàn)附近必須有地線(xiàn)與其緊鄰、平行走線(xiàn)。

  原因:減小電源電流回路面積。

  

原則11:在雙層板中,電源走線(xiàn)附近必須有地線(xiàn)與其緊鄰、平行走線(xiàn)。

  原因:減小電源電流回路面積。

  原則12:在分層設計時(shí),盡量避免布線(xiàn)層相鄰的設臵。如果無(wú)法避免布線(xiàn)層相鄰,應該適當拉大兩布線(xiàn)層之間的層間距,縮小布線(xiàn)層與其信號回路之間的層間距。

  原因:相鄰布線(xiàn)層上的平行信號走線(xiàn)會(huì )導致信號串擾。

  原則13:相鄰平面層應避免其投影平面重疊。

  原因:投影重疊時(shí),層與層之間的耦合電容會(huì )導致各層之間的噪聲互相耦合。

  原則14:PCB布局設計時(shí),應充分遵守沿信號流向直線(xiàn)放臵的設計原則,盡量避免來(lái)回環(huán)繞。

  原因:避免信號直接耦合,影響信號質(zhì)量。

  原則15:多種模塊電路在同一PCB上放臵時(shí),數字電路與模擬電路、高速與低速電路應分開(kāi)布局。

  原因:避免數字電路、模擬電路、高速電路以及低速電路之間的互相干擾。

  原則16:當線(xiàn)路板上同時(shí)存在高、中、低速電路時(shí),應該遵從高、中速電路遠離接口。

  原因:避免高頻電路噪聲通過(guò)接口向外輻射。

  原則17:存在較大電流變化的單元電路或器件(如電源模塊:的輸入輸出端、風(fēng)扇及繼電器)附近應放臵儲能和高頻濾波電容。

  原因:儲能電容的存在可以減小大電流回路的回路面積。

  原則18:線(xiàn)路板電源輸入口的濾波電路應靠近接口放臵,

  原因:避免已經(jīng)經(jīng)過(guò)了濾波的線(xiàn)路被再次耦合。

  原則19:在PCB板上,接口電路的濾波、防護以及隔離器件應該靠近接口放臵。

  原因:可以有效的實(shí)現防護、濾波和隔離的效果。

  原則20:如果接口處既有濾波又有防護電路,應該遵從先防護后濾波的原則。

  

  原因:防護電路用來(lái)進(jìn)行外來(lái)過(guò)壓和過(guò)流抑制,如果將防護電路放臵在濾波電路之后,濾波電路會(huì )被過(guò)壓和過(guò)流損壞。

  原則21:布局時(shí)要保證濾波電路(濾波器)、隔離以及防護電路的輸入輸出線(xiàn)不要相互耦合。

  原因:上述電路的輸入輸出走線(xiàn)相互耦合時(shí)會(huì )削弱濾波、隔離或防護效果。

  原則22:?jiǎn)伟迳先绻O計了接口“干凈地”,則濾波、隔離器件應放臵在“干凈地”和工作地之間的隔離帶上。

  原因:避免濾波或隔離器件通過(guò)平面層互相耦合,削弱效果。

  原則23:“干凈地”上,除了濾波和防護器件之外,不能放臵任何其他器件,原因:“干凈地”設計的目的是保證接口輻射最小,并且“干凈地”極易被外來(lái)干擾耦合,所以“干凈地”上不要有其他無(wú)關(guān)的電路和器件。

  原則24:晶體、晶振、繼電器、開(kāi)關(guān)電源等強輻射器件遠離單板接口連接器至少1000mil。原因:將干擾會(huì )直接向外輻射或在外出電纜上耦合出電流來(lái)向外輻射。

  原則25:敏感電路或器件(如復位電路、:WATCHDOG電路等)遠離單板各邊緣特別是單板接口側邊緣至少1000mil。

  原因:類(lèi)似于單板接口等地方是最容易被外來(lái)干擾(如靜電)耦合的地方,而像復位電路、看門(mén)狗電路等敏感電路極易引起系統的誤操作。

  原則26:時(shí)鐘、總線(xiàn)、射頻線(xiàn)等關(guān)鍵信號走線(xiàn)和:其他同層平行走線(xiàn)應滿(mǎn)足3W原則。

  原因:避免信號之間的串擾。

  原則27:電流≥1A的電源所用的表貼保險絲、磁珠、電感、鉭電容的焊盤(pán)應不不少于兩個(gè)過(guò)孔接到平面層。

  原因:減小過(guò)孔等效阻抗。

  原則28:差分信號線(xiàn)應同層、等長(cháng)、并行走線(xiàn),保持阻抗一:致,差分線(xiàn)間無(wú)其它走線(xiàn)。

  原因:保證差分線(xiàn)對的共模阻抗相等,提高其抗干擾能力。

  原則29:關(guān)鍵信號走線(xiàn)一定不能跨分割區走線(xiàn)(包括過(guò)孔、焊盤(pán)導致的參考平面間隙)。

  原因:跨分割區走線(xiàn)會(huì )導致信號回路面積的增大。

  原則30:信號線(xiàn)跨其回流平面分割地情況不可避免時(shí),建議在信號跨分割附近采用橋接電容方式處理,電容取值為1nF。

  原因:信號跨分割時(shí),常常會(huì )導致其回路面積增大,采用橋接地方式是人為的為其設臵信號回路。

  原則31:?jiǎn)伟迳系臑V波器(濾波電路)下方不要有其他無(wú)關(guān)信號走線(xiàn)。

  原因:分布電容會(huì )削弱濾波器的濾波效果。

  

原則32:濾波器(濾波電路)的輸入、輸出信號線(xiàn)不能相互平行、交叉走線(xiàn)。

  原因:避免濾波前后的走線(xiàn)直接噪聲耦合。

  原則33:關(guān)鍵信號線(xiàn)距參考平面邊沿≥3H(H為線(xiàn)距離參考平面的高度)。

  原因:抑制邊緣輻射效應。

  原則34:對于金屬外殼接地元件,應在其投影區的頂層上鋪接地銅皮。

  原因:通過(guò)金屬外殼和接地銅皮之間的分布電容來(lái)抑制其對外輻射和提高抗擾度。

  原則35:在單層板或雙層板中,布線(xiàn)時(shí)應該注意“回路面積最小化”設計。

  原因:回路面積越小、回路對外輻射越小,并且抗干擾能力越強。

  原則36:信號線(xiàn)(特別是關(guān)鍵信號線(xiàn))換層時(shí),應在其換層過(guò)孔附近設計地過(guò)孔。

  原因:可以減小信號回路面積。

  原則37:時(shí)鐘線(xiàn)、總線(xiàn)、射頻線(xiàn)等:強輻射信號線(xiàn)遠離接口外出信號線(xiàn)。

  原因:避免強輻射信號線(xiàn)上的干擾耦合到外出信號線(xiàn)上,向外輻射。

  原則38:敏感信號線(xiàn)如復位信號線(xiàn)、片選信號線(xiàn)、系統控制信號等遠離接口外出信號線(xiàn)。

  原因:接口外出信號線(xiàn)常常帶進(jìn)外來(lái)干擾,耦合到敏感信號線(xiàn)時(shí)會(huì )導致系統誤操作。

  原則39:在單面板和雙面板中,濾波電容的走線(xiàn)應先經(jīng)濾波電容濾波,再到器件管腳。

  原因:使電源電壓先經(jīng)過(guò)濾波再給IC供電,并且IC回饋給電源的噪聲也會(huì )被電容先濾掉。

  原則40:在單面板或雙面板中,如果電源線(xiàn)走線(xiàn)很長(cháng),應每隔3000mil對地加去耦合電容,電容取值為10uF+1000pF。

  原因:濾除電源線(xiàn)上地高頻噪聲。

  

  原則41:濾波電容的接地線(xiàn)和接電源線(xiàn)應該盡可能粗、短。

  原因:等效串聯(lián)電感會(huì )降低電容的諧振頻率,削弱其高頻濾波效果。

  原則42:為IC濾波的各濾波電容應盡可能靠近芯片的供電管腳放臵。

  原因:電容離管腳越近,高頻回路面積越小,從而輻射越小。

  原則43:對于始端串聯(lián)匹配電阻,應靠近其信號輸出端放臵。

  原因:始端串聯(lián)匹配電阻的設計目的是為了芯片輸出端的輸出阻抗與串聯(lián)電阻的阻抗相加等于走線(xiàn)的特性阻抗,匹配電阻放在末端,無(wú)法滿(mǎn)足上述等式。

  原則44:PCB走線(xiàn)不能有直角或銳角走線(xiàn)。

  原因:直角走線(xiàn)導致阻抗不連續,導致信號發(fā)射,從而產(chǎn)生振鈴或過(guò)沖,形成強烈的EMI輻射。

  原則45:盡可能避免相鄰布線(xiàn)層的層設臵,無(wú)法避免時(shí),盡量使兩布線(xiàn)層中的走線(xiàn)相互垂直或平行走線(xiàn)長(cháng)度小于1000mil。

  原因:減小平行走線(xiàn)之間的串擾。

  原則46:如果單板有內部信號走線(xiàn)層,則時(shí)鐘等關(guān)鍵信號線(xiàn)布在內層(優(yōu)先考慮優(yōu)選布線(xiàn)層)。

  原因:將關(guān)鍵信號布在內部走線(xiàn)層可以起到屏蔽作用。

  原則47:時(shí)鐘線(xiàn)兩側建議包地線(xiàn),包地線(xiàn)每隔3000mil打接地過(guò)孔。

  原因:保證包地線(xiàn)上各點(diǎn)電位相等。


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