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FRAM（鐵電RAM）是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲器不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。鐵電存儲器是一種具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度，功耗低等優(yōu)點(diǎn)的高性能和高可靠性存儲器。 本篇文章鐵電存儲器代理商英尚微電子介紹關(guān)于使用其他存儲芯片的常見(jiàn)問(wèn)題和解決方案。 狀態(tài)：使用EEPROM 問(wèn)題：由于寫(xiě)耐久性規范的限制，難以更頻繁地記錄數據 解決方案：使用FRAM保證10萬(wàn)億讀/寫(xiě)周期 狀態(tài)：使用EEPROM 問(wèn)題：有突發(fā)事故或斷電寫(xiě)入數據丟失的風(fēng)險 解決方案：使用具有快速寫(xiě)入功能的FRAM，以保護斷電寫(xiě)入數據 狀態(tài)：使用SRAM 問(wèn)題：難以取出電池以保留數據 解決方案：使用FRAM作為非易失性存儲器 總之，鐵電存儲器產(chǎn)品為客戶(hù)帶來(lái)了諸如減少開(kāi)發(fā)負擔、增強客戶(hù)產(chǎn)品性能和降低成本等好處。 |
