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英特爾的目標是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導體 在不懈推進(jìn)摩爾定律的過(guò)程中，英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)突破，這些突破對推進(jìn)和加速計算進(jìn)入下一個(gè)十年至關(guān)重要。在2021 IEEE國際電子器件會(huì )議（IEDM）上，英特爾概述了其未來(lái)技術(shù)發(fā)展方向，即通過(guò)混合鍵合（hybrid bonding）將在封裝中的互連密度提升10倍以上，晶體管微縮面積提升30%至50%，在全新的功率器件和內存技術(shù)上取得重大突破，基于物理學(xué)新概念所衍生的新技術(shù)，在未來(lái)可能會(huì )重新定義計算。 英特爾高級院士兼組件研究部門(mén)總經(jīng)理Robert Chau表示：“在英特爾，為持續推進(jìn)摩爾定律而進(jìn)行的研究和創(chuàng )新從未止步。英特爾的組件研究團隊在IEDM 2021上分享了關(guān)鍵的研究突破，這些突破將帶來(lái)革命性的制程工藝和封裝技術(shù)，以滿(mǎn)足行業(yè)和社會(huì )對強大計算的無(wú)限需求。這是我們最優(yōu)秀的科學(xué)家和工程師們不懈努力的結果，他們將繼續站在技術(shù)創(chuàng )新的最前沿，不斷延續摩爾定律�！� 摩爾定律滿(mǎn)足了從大型計算機到移動(dòng)電話(huà)等每一代技術(shù)的需求，并與計算創(chuàng )新同步前行。如今，隨著(zhù)我們進(jìn)入一個(gè)具有無(wú)窮數據和人工智能的計算新時(shí)代，這種演變仍在繼續。 持續創(chuàng )新是摩爾定律的基石，英特爾的組件研究團隊致力于在三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng )新：第一，為提供更多晶體管的核心微縮技術(shù)；第二，在功率器件和內存增益領(lǐng)域提升硅基半導體性能；第三，探索物理學(xué)新概念，以重新定義計算。眾多突破摩爾定律昔日壁壘并出現在當前產(chǎn)品中的創(chuàng )新技術(shù)，都源自于組件研究團隊的研究工作，包括應變硅、高K-金屬柵極技術(shù)、FinFET晶體管、RibbonFET，以及包括EMIB和Foveros Direct在內的封裝技術(shù)創(chuàng )新。 
在IEDM 2021上披露的突破性進(jìn)展表明，英特爾正通過(guò)對以下三個(gè)領(lǐng)域的探索，持續推進(jìn)摩爾定律，并將其延續至2025年及更遠的未來(lái)。 一、為在未來(lái)的產(chǎn)品中提供更多的晶體管，英特爾正針對核心微縮技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)研究： • 英特爾的研究人員概述了混合鍵合互連中的設計、制程工藝和組裝難題的解決方案，期望能在封裝中將互連密度提升10倍以上。在今年7月的英特爾加速創(chuàng )新：制程工藝和封裝技術(shù)線(xiàn)上發(fā)布會(huì )中，英特爾宣布計劃推出Foveros Direct，以實(shí)現10微米以下的凸點(diǎn)間距，使3D堆疊的互連密度提高一個(gè)數量級。為了使生態(tài)系統能從先進(jìn)封裝中獲益，英特爾還呼吁建立新的行業(yè)標準和測試程序，讓混合鍵合芯粒（hybrid bonding chiplet）生態(tài)系統成為可能。 • 展望其GAA RibbonFET（Gate-All-Around RibbonFET）技術(shù)，英特爾正引領(lǐng)著(zhù)即將到來(lái)的后FinFET時(shí)代，通過(guò)堆疊多個(gè)（CMOS）晶體管，實(shí)現高達30%至50%的邏輯微縮提升，通過(guò)在每平方毫米上容納更多晶體管，以繼續推進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。 • 英特爾同時(shí)也在為摩爾定律進(jìn)入埃米時(shí)代鋪平道路，其前瞻性的研究展示了英特爾是如何克服傳統硅通道限制，用僅有數個(gè)原子厚度的新型材料制造晶體管，從而實(shí)現在每個(gè)芯片上增加數百萬(wàn)晶體管數量。在接下來(lái)的十年，實(shí)現更強大的計算。 二、英特爾為硅注入新功能： • 通過(guò)在300毫米的晶圓上首次集成氮化鎵基（GaN-based）功率器件與硅基CMOS，實(shí)現了更高效的電源技術(shù)。這為CPU提供低損耗、高速電能傳輸創(chuàng )造了條件，同時(shí)也減少了主板組件和空間。 • 另一項進(jìn)展是利用新型鐵電體材料作為下一代嵌入式DRAM技術(shù)的可行方案。該項業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)可提供更大內存資源和低時(shí)延讀寫(xiě)能力，用于解決從游戲到人工智能等計算應用所面臨的日益復雜的問(wèn)題。 三、英特爾正致力于大幅提升硅基半導體的量子計算性能，同時(shí)也在開(kāi)發(fā)能在室溫下進(jìn)行高效、低功耗計算的新型器件。未來(lái)，基于全新物理學(xué)概念衍生出的技術(shù)將逐步取代傳統的MOSFET晶體管： • 在IEDM 2021上，英特爾展示了全球首例常溫磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件，這表明未來(lái)有可能基于納米尺度的磁體器件制造出新型晶體管。 • 英特爾和比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）在自旋電子材料研究方面取得進(jìn)展，使器件集成研究接近實(shí)現自旋電子器件的全面實(shí)用化。 • 英特爾還展示了完整的300毫米量子比特制程工藝流程。該量子計算工藝不僅可持續微縮，且與CMOS制造兼容，這確定了未來(lái)研究的方向。 |
