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SRAM是隨機存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。 下面介紹一款可替代IS61WV12816DBLL-10BLI高速低功耗異步SRAM芯片EMI502NL16LM-55I 我司英尚國際推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片,型號EMI502NL16LM-55I產(chǎn)品,該系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬為128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，電源電壓范圍為2.3V〜3.6V。 EMI502NL16LM-55I具備三態(tài)輸出和TTL兼容，低數據保持電壓：1.5V（最小值），這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片規模封裝，以使用戶(hù)靈活地進(jìn)行系統設計。該系列還支持低數據保持電壓，以低數據保持電流實(shí)現電池備份操作。封裝采用標準48BGA。 封裝引腳配置 安徽偉凌創(chuàng )芯（EMI）公司是專(zhuān)注存儲SRAM/PSRAM芯片、顯示驅動(dòng)，接口轉換芯片設計、生產(chǎn)及銷(xiāo)售的塢無(wú)晶圓半導體公司。為行業(yè)客戶(hù)提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續穩定的自主知識產(chǎn)權的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò )可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語(yǔ)音、應用展現、特種通信和智能建筑等。 |
| 我司英尚國際有限公司13751192923推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片,型號EMI502NL16LM-55I產(chǎn)品,該系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬為128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，電源電壓范圍為2.3V〜3.6V。 |
