|
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動(dòng)汽車(chē)普及提前三年來(lái)到，并減少20%道路二氧化碳排放 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導者 Navitas Semiconductor（納斯達克代碼：NVTS）宣布開(kāi)設新的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 設計中心，進(jìn)一步擴展到更高功率的氮化鎵市場(chǎng)。與傳統的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車(chē)載充電器 (OBC) 的充電速度估計快 3 倍，節能高達 70%。據估計，氮化鎵OBC、DC-DC 轉換器和牽引逆變器將有望延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)續航里程，或將電池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年來(lái)到。據估計，到 2050 年，將電動(dòng)汽車(chē)升級到使用GaN之后，道路部門(mén)的二氧化碳排放量每年有望減少 20%，這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標。 
氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導體技術(shù)的前沿，其運行速度比傳統硅芯片快 20 倍。 Navitas 的 GaNFast™ 功率芯片集成了 GaN 電源、GaN 驅動(dòng)、保護和控制。高速和高效率已成為節能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業(yè)標準。 新的設計中心位于中國上海，擁有一支經(jīng)驗豐富的世界級電力系統設計師團隊，他們在電氣、熱力和機械設計、軟件開(kāi)發(fā)以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內為電動(dòng)汽車(chē)客戶(hù)提供支持，從概念到原型，再到全面認證和大規模生產(chǎn)。 著(zhù)名電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)專(zhuān)家、上海設計中心新任高級總監孫浩先生表示：“設計中心將為全功能、可產(chǎn)品化的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統開(kāi)發(fā)原理圖、布局和固件。 Navitas 將與 OBC、DC-DC 和牽引系統公司合作，創(chuàng )建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng )新世界級解決方案，以推動(dòng) GaN 進(jìn)入主流電動(dòng)汽車(chē)�！� 為 EV 應用量身定制的高功率 650V GaN IC 已于2021年 12 月向 EV 客戶(hù)提供樣品。在最近的小米產(chǎn)投日活動(dòng)上，納微展示了 6.6kW OBC 概念模型，后在CES 上也進(jìn)行了展示。 “納微半導體電動(dòng)汽車(chē)團隊在提供動(dòng)力系統方面擁有豐富的人才和成熟的經(jīng)驗，”納微半導體副總裁兼中國區總經(jīng)理查瑩杰表示。 “對于 GaN 來(lái)說(shuō)，電動(dòng)汽車(chē)是一個(gè)令人興奮的擴展市場(chǎng)，估計每輛 EV 內，氮化鎵的潛在價(jià)值為 250 美元。逐個(gè)市場(chǎng)來(lái)看，Navitas 正在快速推進(jìn)到更高功率的應用，例如電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和太陽(yáng)能�！� 制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍�？紤]到效率以及材料尺寸和重量?jì)?yōu)勢，每個(gè)出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節省大約 4 公斤的二氧化碳�？傮w而言，到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量減少問(wèn)題。 |
