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MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的耐用性。數據在超過(guò)20年的時(shí)間里始終是非易失性的。數據通過(guò)低壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護，以防止電壓超出規格的寫(xiě)入。MR0D08BMA45R是必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用的理想內存解決方案。 MR0D08BMA45R采用小尺寸8mmx8mm、48引腳球柵陣列(BGA)封裝，在廣泛的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70℃）。此款MRAM存儲器可取代系統中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，實(shí)現更簡(jiǎn)單、更高效的設計。通過(guò)更換電池供電的SRAM提高可靠性。 特征 +3.3伏電源 •I/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏寬接口 •45ns的快速讀/寫(xiě)周期 •SRAM兼容時(shí)序 •無(wú)限讀寫(xiě)耐力 •數據在溫度下超過(guò)20年始終非易失性 •符合RoHS的小尺寸BGA封裝 Everspin Technologies, Inc是設計制造和商業(yè)化分立和MRAM和STT-MRAM進(jìn)入數據持久性和應用程序的市場(chǎng)和應用領(lǐng)域的翹楚。完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin非易失性存儲MRAM在數據中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車(chē)和交通運輸市場(chǎng)，建立了世界上最強大和增長(cháng)最快的 MRAM 用戶(hù)基礎。 |
