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新型50mOhm SuperGaN場(chǎng)效應晶體管簡(jiǎn)化并加快基于氮化鎵的高功率系統的開(kāi)發(fā)，適用于數據中心和廣泛工業(yè)應用 Transphorm, Inc.新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN場(chǎng)效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。 
TP65H050G4BS通過(guò)了JEDEC認證，為設計者和制造商提供了多項優(yōu)勢，賦能他們開(kāi)發(fā)通常用于數據中心和廣泛工業(yè)應用的高功率（數千瓦到幾千瓦）系統。它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V)，以及氮化鎵技術(shù)所具備的易設計性和驅動(dòng)性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來(lái)滿(mǎn)足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實(shí)現更好的熱性能，同時(shí)幫助用戶(hù)通過(guò)單一的制造流程提高PCB組裝效率。 D2PAK可作為分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無(wú)橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅動(dòng)多千瓦功率。 Transphorm全球營(yíng)銷(xiāo)、應用和業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Philip Zuk表示：“D2PAK是對我們產(chǎn)品組合的一個(gè)重要補充。它將我們的SMD產(chǎn)品的可用性拓展至高功率領(lǐng)域，而之前我們用通孔器件支持這些應用�？蛻�(hù)可獲得我們氮化鎵平臺的多項優(yōu)勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設計挑戰、簡(jiǎn)化了系統開(kāi)發(fā)并加快了產(chǎn)品上市速度�！� Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵器件的唯一氮化鎵供應商。值得注意的是，鑒于其固有的柵極損壞敏感性，這些封裝產(chǎn)品不支持替代性的增強型氮化鎵技術(shù)。 產(chǎn)品供應 上述器件和評估板可通過(guò)下述鏈接在Digi-Key和Mouser上購買(mǎi)： |
