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MR256D08BMA45R是一款容量為256Kb的磁阻隨機存取存儲器MRAM存儲芯片，組織為32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O電壓。MR256D08BMA45R提供與SRAM兼容的45ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的耐用性。 MR256D08BMA45R的數據保持期長(cháng)達20年以上而不會(huì )丟失，并會(huì )在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。是必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用的理想內存解決方案。 此款并口MRAM芯片能在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。封裝采用48BGA)，并行MRAM是大多數手機、移動(dòng)設備、膝上機、PC等數字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。更多產(chǎn)品詳情請洽靈動(dòng)微。 EVERSPIN在2006年從飛思卡爾半導體公司獨立分離出來(lái)，成立后一直致力于研發(fā)MRAM芯片的產(chǎn)品，也是全球第一家生產(chǎn)商業(yè)化MRAM芯片，是世界領(lǐng)先的分立和嵌入式MRAM開(kāi)發(fā)商和制造商，產(chǎn)品廣泛用在數據存儲、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領(lǐng)域。 |
