2個(gè)硅原子寬度!美國造出0.7nm芯片:EUV光刻機都做不到

發(fā)布時(shí)間:2022-9-26 10:28    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 0.7nm , EUV , 光刻機
來(lái)源:快科技

當ASML的EUV光刻機還在為制造2nm、1nm芯片發(fā)愁的時(shí)候,美國公司卻在另一個(gè)先進(jìn)光刻方向上取得了突破,Zyvex使用電子束光刻技術(shù)制造了768皮米,也就是0.7nm的芯片,這種芯片可用于量子計算機。

Zyvex推出的光刻系統名為ZyvexLitho1,基于STM掃描隧道顯微鏡,使用的是EBL電子束光刻方式,制造出了0.7nm線(xiàn)寬的芯片,這個(gè)精度是遠高于EUV光刻系統的,相當于2個(gè)硅原子的寬度,是當前制造精度最高的光刻系統。



這個(gè)光刻機制造出來(lái)的芯片主要是用于量子計算機,可以制造出高精度的固態(tài)量子器件,以及納米器件及材料,對量子計算機來(lái)說(shuō)精度非常重要。

ZyvexLitho1不僅是精度最高的電子束光刻機,而且還是可以商用的,Zyvex公司已經(jīng)可以接受其他人的訂單,機器可以在6個(gè)月內出貨。

EBL電子束光刻機的精度可以輕松超過(guò)EUV光刻機,然而這種技術(shù)的缺點(diǎn)也很明顯,那就是產(chǎn)量很低,無(wú)法大規模制造芯片,只適合制作那些小批量的高精度芯片或者器件,指望它們取代EUV光刻機也不現實(shí)。
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