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近日，俄羅斯已公布自主開(kāi)發(fā)極紫外光刻（EUV）光刻機的路線(xiàn)圖，目標旨在制造出比荷蘭ASML公司的光刻機更便宜且更容易制造的產(chǎn)品。 俄羅斯的自主光刻機在技術(shù)參數上有獨特之處，其采用11.2nm的激光光源，而ASML的光刻機采用的是標準的13.5nm激光光源。這一改變帶來(lái)了多方面的影響。首先，在分辨率方面，11.2nm波長(cháng)的分辨率相比13.5nm提高了20%，能夠提供更精細的芯片制造細節。 在成本方面，11.2nm波長(cháng)的調整簡(jiǎn)化了光刻機的設計并降低了光學(xué)元件的成本。這種設計改進(jìn)還顯著(zhù)減少了光學(xué)元件的污染，延長(cháng)了諸如收集器和保護膜等關(guān)鍵部件的使用壽命。而且俄羅斯的光刻機還可使用硅基光阻劑，預期在較短波長(cháng)下具備更出色的性能表現。 不過(guò)，目前俄羅斯的光刻機也存在一些限制。例如，其光源功率僅為3.6千瓦，這導致產(chǎn)量?jì)H為ASML設備的37%，但就小規模芯片生產(chǎn)需求而言，其性能是足夠的。 該項目由俄羅斯科學(xué)院微結構物理研究所的Nikolay Chkhalo領(lǐng)導。在研發(fā)計劃上，其分三個(gè)階段推進(jìn)。第一階段聚焦技術(shù)突破，進(jìn)行科學(xué)研究與工程設計以解決關(guān)鍵技術(shù)難題，并制定合作框架和設備清單為后續奠定基礎；第二階段是實(shí)驗驗證，制造用于測試的實(shí)驗性光刻設備，集成高效多鏡頭投影系統和多千瓦激光器，用于200/300毫米晶圓的工藝測試；第三階段則走向產(chǎn)業(yè)化，開(kāi)發(fā)適合工業(yè)應用的高性能光刻設備，計劃量產(chǎn)直徑300毫米晶圓的設備，生產(chǎn)能力預計超每小時(shí)60片。 由于西方制裁，俄羅斯難以獲取國外先進(jìn)光刻設備，在這樣的背景下，俄羅斯自主研發(fā)光刻機有助于其實(shí)現技術(shù)主權，并且從長(cháng)遠來(lái)看，計劃中的光刻設備有望為中小型芯片制造商提供更具成本效益的選擇。盡管面臨資金不足和人才匱乏等挑戰，但俄羅斯決心依據創(chuàng )新路線(xiàn)圖突破困境，并希望在2028年前完成研發(fā)工作。 值得注意的是，俄羅斯光刻機采用11.2nm波長(cháng)，這與現有的EUV基礎設施不兼容，未來(lái)俄羅斯可能需要在開(kāi)發(fā)自己的光刻生態(tài)系統方面投入大量精力，這一過(guò)程或許需要數年甚至十年或更長(cháng)時(shí)間。 |
